Cortex-M7內(nèi)核用于一系列汽車微控制器單元（MCU）。新的S32K3系列提高了處理器內(nèi)存和性能，并具有鎖步模式之類的功能。非對稱Cortex片上系統(tǒng)（SoC）很常見，但它們通常是Cortex-M0 +和高端Cortex-M或與Cortex-A應(yīng)用處理器結(jié)合使用。S32K3包括單核、雙核和三核版本，運(yùn)行頻率高達(dá)240 MHz。

S32K3系列可從單核Cortex-M7擴(kuò)展到三核或雙核鎖步系統(tǒng)。

S32K系列面向汽車應(yīng)用。它們具有高達(dá)8 MB的閃存和高達(dá)256 kB帶有ECC功能的SRAM存儲(chǔ)器。閃存設(shè)置為兩個(gè)模塊，允許A/B固件與自動(dòng)地址轉(zhuǎn)換交換。FOTA將負(fù)載更新到一個(gè)塊中，而系統(tǒng)從另一塊運(yùn)行。該開關(guān)在復(fù)位時(shí)發(fā)生，如果有問題，數(shù)據(jù)可以回滾到原始塊。

特性 

先進(jìn)的RISC架構(gòu) 

131個(gè)功能強(qiáng)大的指令 

主要為單路時(shí)鐘循環(huán)執(zhí)行 

32x8通用工作寄存器 

全靜態(tài)工作 

在20MHz時(shí)具有高達(dá)20MIPS的吞吐量 

片上兩周期乘法器 

高耐久性非易失性內(nèi)存段 

64KB系統(tǒng)內(nèi)可自編程閃存程序 

存儲(chǔ)器 2KB EEPROM 4KB內(nèi)部SRAM 

封裝：40引腳PDIP、44引線TQFP、44焊盤VQFN/QFN

3D架構(gòu)、雙重圖形化技術(shù)、多層罩式掩膜和高劑量植入剝離(HDIS)等新技術(shù)的出現(xiàn)，光刻膠剝離工藝的復(fù)雜度也在不斷提升。目前來看，在300mm晶圓領(lǐng)域的高級存儲(chǔ)和邏輯節(jié)點(diǎn)上，很多需求已經(jīng)或正在得到解決。然而，針對特種技術(shù)200mm晶圓的工藝挑戰(zhàn)，包括射頻濾波器、電源、讀出磁頭和數(shù)字打印等，很多領(lǐng)先的設(shè)備代工廠和制造商并沒有有效的解決方案。300mm和200mm晶圓工藝的技術(shù)難點(diǎn)有所區(qū)別，相對而言后者更注重低溫處理、薄厚抗蝕層、剝離替代材料和多種襯底材料的處理。

寫入/擦除周期：10,000閃存/100,000 EEPROM 數(shù)據(jù)保持：85°C條件下可保存20年/25°C條件下可保存100年 具有獨(dú)立鎖定位的可選啟動(dòng)代碼段 通過片上引導(dǎo)程序進(jìn)行系統(tǒng)內(nèi)編程 真正邊讀邊寫操作 軟件安全用編程鎖定 支持Atmel QTouch®庫 電容觸摸按鈕、滑塊和滾輪 

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