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雙DGX設(shè)置Graphcore的IPU-POD橫向擴(kuò)展解決方案

發(fā)布時(shí)間:2020/12/12 17:12:59 訪問次數(shù):1465

在PoC方式中,為防止負(fù)載阻抗較低的電源線中流過高頻信號,需要提高分歧點(diǎn)阻抗,為此電感器為串聯(lián)連接。這是因?yàn)殡姼衅髟诟哳l環(huán)境下會(huì)變?yōu)楦咦杩,可以阻止信號流入?/span>通過電容器的串聯(lián)連接可阻止其流入電源線DC成分的驅(qū)動(dòng)器側(cè)。

BERT-Large的訓(xùn)練時(shí)間比最新的NVIDIA DGX-A100快5.3倍(比雙DGX設(shè)置快2.6倍以上),Graphcore的IPU-POD橫向擴(kuò)展解決方案在數(shù)據(jù)中心的優(yōu)勢,以及Poplar軟件棧管理復(fù)雜工作負(fù)載的能力,這些工作負(fù)載能夠利用多個(gè)處理器并行工作。

這一整套全面的benchmark表明Graphcore的IPU-M2000和IPU-POD64在許多流行模型上的性能均優(yōu)于GPU。

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電流傳感電阻器 - SMD

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單相降壓單片開關(guān)穩(wěn)壓器,集成了高精度內(nèi)部基準(zhǔn)電壓和用于同步轉(zhuǎn)換的功率MOSFET.器件采用SOI技術(shù),對單粒子閂鎖效應(yīng)有良好的性能.RHRPMPOL01能輸入電壓3.0V到12V轉(zhuǎn)換成 8V到0.85xVIN輸出電壓.

輸出電流高達(dá)7A,工作溫度-55 C 到 +125 C,可編開關(guān)頻率從100kHz到1MHz.RHRPMPOL01總離子劑量為100 krad,無單粒子閂鎖效應(yīng)高達(dá)70 MeV/mg/cm2 (@ VCC up to 7 V),SEU-SEFI特性高達(dá)VCC 7V,無質(zhì)子.主要用在空間應(yīng)用的點(diǎn)負(fù)載穩(wěn)壓器,FPGA,DSP,CPU和ASIC電源以及低壓高密度分布電源系統(tǒng).


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)


在PoC方式中,為防止負(fù)載阻抗較低的電源線中流過高頻信號,需要提高分歧點(diǎn)阻抗,為此電感器為串聯(lián)連接。這是因?yàn)殡姼衅髟诟哳l環(huán)境下會(huì)變?yōu)楦咦杩,可以阻止信號流入?/span>通過電容器的串聯(lián)連接可阻止其流入電源線DC成分的驅(qū)動(dòng)器側(cè)。

BERT-Large的訓(xùn)練時(shí)間比最新的NVIDIA DGX-A100快5.3倍(比雙DGX設(shè)置快2.6倍以上),Graphcore的IPU-POD橫向擴(kuò)展解決方案在數(shù)據(jù)中心的優(yōu)勢,以及Poplar軟件棧管理復(fù)雜工作負(fù)載的能力,這些工作負(fù)載能夠利用多個(gè)處理器并行工作。

這一整套全面的benchmark表明Graphcore的IPU-M2000和IPU-POD64在許多流行模型上的性能均優(yōu)于GPU。

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單相降壓單片開關(guān)穩(wěn)壓器,集成了高精度內(nèi)部基準(zhǔn)電壓和用于同步轉(zhuǎn)換的功率MOSFET.器件采用SOI技術(shù),對單粒子閂鎖效應(yīng)有良好的性能.RHRPMPOL01能輸入電壓3.0V到12V轉(zhuǎn)換成 8V到0.85xVIN輸出電壓.

輸出電流高達(dá)7A,工作溫度-55 C 到 +125 C,可編開關(guān)頻率從100kHz到1MHz.RHRPMPOL01總離子劑量為100 krad,無單粒子閂鎖效應(yīng)高達(dá)70 MeV/mg/cm2 (@ VCC up to 7 V),SEU-SEFI特性高達(dá)VCC 7V,無質(zhì)子.主要用在空間應(yīng)用的點(diǎn)負(fù)載穩(wěn)壓器,FPGA,DSP,CPU和ASIC電源以及低壓高密度分布電源系統(tǒng).


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