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D3GaN技術(shù)的低導(dǎo)通電阻電池保護(hù)和充電端口

發(fā)布時(shí)間:2020/12/16 23:19:39 訪問次數(shù):1111

低Rho SMD自恢復(fù)PPTC產(chǎn)品組合包括更廣泛的額定值和尺寸范圍。這為電子工程師提供了更大的設(shè)計(jì)靈活性,尤其是在為消費(fèi)電子產(chǎn)品應(yīng)用開發(fā)下一代電池保護(hù)和充電端口方面。

系列交換機(jī)還兼具諸多特點(diǎn)和優(yōu)勢,比如配備支持DIN導(dǎo)軌安裝的IP30級(jí)金屬外殼,12-58 VDC冗余電源輸入,-40至75°C的寬工作溫度范圍,以及高達(dá)50G的抗振動(dòng)性能,即使在最極端的條件下也能可靠運(yùn)行。

憑借快速以太網(wǎng)和千兆配置的銅制和光纖端口選項(xiàng),以及高級(jí)安全性和流量控制功能,紅獅控制NT4008系列交換機(jī)將PROFINET實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)交換、優(yōu)異性能和值得信賴的可靠性融于一身,可助力推動(dòng)全球工業(yè)4.0計(jì)劃。

基于 D3GaN 技術(shù)的低導(dǎo)通電阻功率GaN 開關(guān),用于 EV 市場

專為 EV 逆變器應(yīng)用設(shè)計(jì)的新解決方案

汽車高壓應(yīng)用氮化鎵(GaN)器件的全球領(lǐng)導(dǎo)者,自豪地宣布其新的低導(dǎo)通電阻產(chǎn)品發(fā)布。針對(duì)電動(dòng)汽車逆變器應(yīng)用,此款產(chǎn)品將有助于提高電機(jī)控制器效率,降低整機(jī)制造成本。新的8毫歐姆產(chǎn)品是支持客戶和改進(jìn)電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的持續(xù)努力中的又一步驟。

與現(xiàn)有的硅晶圓技術(shù)相比較,對(duì)于寬禁帶器件SiC和GaN來說,制造更大電流的裸芯片非常有挑戰(zhàn)。

8毫歐姆 D3GaN 功率開關(guān)管,與VisIC上一代產(chǎn)品相比,V8 產(chǎn)品將當(dāng)前功率提高了一倍,電阻降低了 2.5 倍。這將使我們的電動(dòng)汽車應(yīng)用客戶改進(jìn)其逆變器系統(tǒng),在尺寸、功率和成本方面更高效地實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)目標(biāo)。

V8 產(chǎn)品是我們長期努力提供基于 D3GaN 技術(shù)更好解決方案的又一進(jìn)步。新產(chǎn)品的改進(jìn)工作是和我們領(lǐng)先的客戶密切合作完成的,為電動(dòng)汽車的核心電氣驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)帶來有意義的改進(jìn),高功率牽引逆變器應(yīng)用也可以此實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。


(素材來源:eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

低Rho SMD自恢復(fù)PPTC產(chǎn)品組合包括更廣泛的額定值和尺寸范圍。這為電子工程師提供了更大的設(shè)計(jì)靈活性,尤其是在為消費(fèi)電子產(chǎn)品應(yīng)用開發(fā)下一代電池保護(hù)和充電端口方面。

系列交換機(jī)還兼具諸多特點(diǎn)和優(yōu)勢,比如配備支持DIN導(dǎo)軌安裝的IP30級(jí)金屬外殼,12-58 VDC冗余電源輸入,-40至75°C的寬工作溫度范圍,以及高達(dá)50G的抗振動(dòng)性能,即使在最極端的條件下也能可靠運(yùn)行。

憑借快速以太網(wǎng)和千兆配置的銅制和光纖端口選項(xiàng),以及高級(jí)安全性和流量控制功能,紅獅控制NT4008系列交換機(jī)將PROFINET實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)交換、優(yōu)異性能和值得信賴的可靠性融于一身,可助力推動(dòng)全球工業(yè)4.0計(jì)劃。

基于 D3GaN 技術(shù)的低導(dǎo)通電阻功率GaN 開關(guān),用于 EV 市場

專為 EV 逆變器應(yīng)用設(shè)計(jì)的新解決方案

汽車高壓應(yīng)用氮化鎵(GaN)器件的全球領(lǐng)導(dǎo)者,自豪地宣布其新的低導(dǎo)通電阻產(chǎn)品發(fā)布。針對(duì)電動(dòng)汽車逆變器應(yīng)用,此款產(chǎn)品將有助于提高電機(jī)控制器效率,降低整機(jī)制造成本。新的8毫歐姆產(chǎn)品是支持客戶和改進(jìn)電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的持續(xù)努力中的又一步驟。

與現(xiàn)有的硅晶圓技術(shù)相比較,對(duì)于寬禁帶器件SiC和GaN來說,制造更大電流的裸芯片非常有挑戰(zhàn)。

8毫歐姆 D3GaN 功率開關(guān)管,與VisIC上一代產(chǎn)品相比,V8 產(chǎn)品將當(dāng)前功率提高了一倍,電阻降低了 2.5 倍。這將使我們的電動(dòng)汽車應(yīng)用客戶改進(jìn)其逆變器系統(tǒng),在尺寸、功率和成本方面更高效地實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)目標(biāo)。

V8 產(chǎn)品是我們長期努力提供基于 D3GaN 技術(shù)更好解決方案的又一進(jìn)步。新產(chǎn)品的改進(jìn)工作是和我們領(lǐng)先的客戶密切合作完成的,為電動(dòng)汽車的核心電氣驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)帶來有意義的改進(jìn),高功率牽引逆變器應(yīng)用也可以此實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。


(素材來源:eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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