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GaN優(yōu)開關(guān)能力意味著用更少器件更有效地轉(zhuǎn)換更高水平功率

發(fā)布時(shí)間:2023/3/14 13:27:11 訪問次數(shù):86

對(duì)于放大電路的最基本要求,一是不失真,二是能夠放大。如果輸出波形嚴(yán)重失真,所謂 “放大”就毫無(wú)意義了。因此,設(shè)置合適的靜態(tài)工作點(diǎn),以保證放大電路不產(chǎn)生失真是非常必 要的。

當(dāng)使用MachXO3 FPGA實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)控制功能時(shí),它們通常是電路板上“最先上電/最后斷電”的器件。通過集成安全和系統(tǒng)控制功能,MachXO3D成為系統(tǒng)保護(hù)信任鏈上的首個(gè)環(huán)節(jié)。


萊迪思MachXO3D改進(jìn)了生產(chǎn)過程中的器件配置和編程步驟。這些優(yōu)化搭配MachXO3D的安全特性,保障了MachXO3D和合法固件之間的安全通信,從而較好地保護(hù)了系統(tǒng)。這種保護(hù)從系統(tǒng)制造、運(yùn)輸、安裝、運(yùn)行到報(bào)廢的整個(gè)生命周期中都有效。

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:ARM微控制器 - MCU RoHS: 詳細(xì)信息 系列:STM32F103C8 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:LQFP-48 核心:ARM Cortex M3 程序存儲(chǔ)器大小:64 kB 數(shù)據(jù)總線寬度:32 bit ADC分辨率:12 bit 最大時(shí)鐘頻率:72 MHz 輸入/輸出端數(shù)量:37 I/O 數(shù)據(jù) RAM 大小:20 kB 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tray 高度:1.4 mm 長(zhǎng)度:7 mm 產(chǎn)品:MCU 程序存儲(chǔ)器類型:Flash 寬度:7 mm 商標(biāo):STMicroelectronics 數(shù)據(jù) Ram 類型:SRAM 接口類型:CAN, I2C, SPI, USART, USB 濕度敏感性:Yes ADC通道數(shù)量:10 Channel 計(jì)時(shí)器/計(jì)數(shù)器數(shù)量:3 Timer 處理器系列:ARM Cortex M 產(chǎn)品類型:ARM Microcontrollers - MCU 工廠包裝數(shù)量:1500 子類別:Microcontrollers - MCU 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2 V 商標(biāo)名:STM32 單位重量:180 mg

系統(tǒng)開發(fā)商通常會(huì)在系統(tǒng)部署后,利用FPGA的靈活性來(lái)增強(qiáng)系統(tǒng)功能。我們?cè)诒3諱achXO3D靈活性的基礎(chǔ)上,增加了一個(gè)安全配置模塊,由此推出了業(yè)界首個(gè)符合美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究所(NIST)平臺(tái)固件保護(hù)恢復(fù)(PFR)標(biāo)準(zhǔn)、面向控制的FPGA。

氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的物理特性與硅器件不相上下。傳統(tǒng)的電源供應(yīng)器金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲效率、外形尺寸和散熱的前提下才能提高功率密度。使用GaN則可以更快地處理電源電子器件并更有效地為越來(lái)越多的高壓應(yīng)用提供功率。GaN更優(yōu)的開關(guān)能力意味著它可以用更少的器件更有效地轉(zhuǎn)換更高水平的功率.



基本共射放大電路的工作原理:

以NPN型晶體管組成的基本共射放大電路為例,闡明放大電路的組成原則及電路中 各元件的作用。

基本共射放大電路的組成及各元件的作用

圖所示為基本共射放大電路,晶體管是起放大作用的核心元件。輸入信號(hào)u,為正弦波電

壓。由于該電路是依據(jù)晶體管工作在放大狀態(tài)b-e、c-e所 需電壓而組成,故也稱之為原理性電路,以區(qū)別于實(shí)用電路。

http://yushuokj.51dzw.com深圳市裕碩科技有限公司


(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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當(dāng)使用MachXO3 FPGA實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)控制功能時(shí),它們通常是電路板上“最先上電/最后斷電”的器件。通過集成安全和系統(tǒng)控制功能,MachXO3D成為系統(tǒng)保護(hù)信任鏈上的首個(gè)環(huán)節(jié)。


萊迪思MachXO3D改進(jìn)了生產(chǎn)過程中的器件配置和編程步驟。這些優(yōu)化搭配MachXO3D的安全特性,保障了MachXO3D和合法固件之間的安全通信,從而較好地保護(hù)了系統(tǒng)。這種保護(hù)從系統(tǒng)制造、運(yùn)輸、安裝、運(yùn)行到報(bào)廢的整個(gè)生命周期中都有效。

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氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的物理特性與硅器件不相上下。傳統(tǒng)的電源供應(yīng)器金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲效率、外形尺寸和散熱的前提下才能提高功率密度。使用GaN則可以更快地處理電源電子器件并更有效地為越來(lái)越多的高壓應(yīng)用提供功率。GaN更優(yōu)的開關(guān)能力意味著它可以用更少的器件更有效地轉(zhuǎn)換更高水平的功率.



基本共射放大電路的工作原理:

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