EV12DD700雙通道設(shè)備的beta測試版樣品，以備批量出貨。這種寬輸出帶寬的12位（或8位）數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，可處理高達每秒12G采樣點的采樣率，具有在多個頻帶上生成信號波形的能力。

ADAS或EPS電源中的電源LSI，虛線框里面的部分，就是本身芯片所具有的一些主要功能和保護功能，在保證特性當(dāng)中，芯片本身加入了像TSD的過熱保護回路，OVP的過壓保護回路和UVP的欠壓保護回路等在里面。

為滿足ASIL等級要求，與Tier1廠商、OEM廠商協(xié)商后，ROHM把紅色框這部分進行強化，構(gòu)建安全機制和自診斷功能。為了確保汽車安全行駛，針對LSI的安全等級會越來越高，通過本身虛線框芯片整個的基礎(chǔ)構(gòu)架，再加上紅色框的“功能安全”的功能，來保證針對于像LSI等級的電源功能安全提升。

OptiMOS™ 產(chǎn)品提供高性能封裝，可用于最具挑戰(zhàn)性的應(yīng)用，充分靈活地優(yōu)化空間、效率和成本。OptiMOS™ 產(chǎn)品經(jīng)設(shè)計符合并超過計算機應(yīng)用中更嚴格的下一代電壓調(diào)節(jié)標(biāo)準(zhǔn)的能效和功率密度要求。MOSFET 特性 經(jīng)優(yōu)化的 SyncFET，用于高性能降壓轉(zhuǎn)換器 100% 經(jīng)雪崩測試 N 溝道 非常低的導(dǎo)通電阻 RDS(on) @ VGS=4.5V 超低柵極(Qg)和輸出電荷(Qoss）（對于給定 RDS(on) 按照 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)符合目標(biāo)應(yīng)用要求 出色的熱阻 無鉛電鍍；符合 RoHS 要求 無鹵素，符合 IEC61249-2-21 標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用服務(wù)器的板載電源 高性能計算的電源管理 同步整流 高功率密度負載點轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS:  技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TDSON-8通道數(shù)量:1 Channel晶體管極性:N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓:150 VId-連續(xù)漏極電流:50 A

最新推出的650 V CoolSiC™ MOSFET產(chǎn)品系列展開了深入的探討。

第一個帶隙（band gap）的部分，SiC是Si材料的大概三倍。單位面積的阻隔電壓的能力，這個大概7倍，從0.3-2.2MV/cm。電子遷移率差不多，1.5cm2/ V·s、1.1cm2/ V·s 。熱導(dǎo)率事實上也是大概3倍多。在整個電源供應(yīng)器的運作本身，不可避免地有損耗，就會產(chǎn)生熱。你可以把熱帶出來，代表了你的功率處理的能力比較強。電子漂移速度也大概2倍左右。

在整個功率器件市場，英飛凌是全球市場占有率最高的供應(yīng)商，其Si產(chǎn)品包括低壓MOS、高壓MOS、IGBT等，英飛凌在SiC領(lǐng)域已有超過10年的經(jīng)驗。面對競爭者，陳清源稱，英飛凌樂意競爭，也不怕競爭，有競爭才會進步。