六款全新內(nèi)存和存儲產(chǎn)品，旨在幫助客戶駕馭數(shù)字化轉(zhuǎn)型的重大機遇。為進一步推動內(nèi)存和存儲創(chuàng)新，英特爾宣布推出兩款新的傲騰固態(tài)盤產(chǎn)品，即全球運行速度最快的數(shù)據(jù)中心固態(tài)盤英特爾®傲騰™固態(tài)盤P5800X，以及能夠為游戲和內(nèi)容創(chuàng)作提供高性能和主流生產(chǎn)力，面向客戶端的英特爾®傲騰™H20混合式固態(tài)盤。

通過使內(nèi)存更靠近處理器，英特爾傲騰能夠滿足現(xiàn)代計算的需求。英特爾還透露即將面向云和企業(yè)級用戶發(fā)布代號為“ Crow Pass”的第三代英特爾®傲騰™持久內(nèi)存。對于英特爾內(nèi)存和存儲業(yè)務(wù),幾款全新傲騰產(chǎn)品的發(fā)布，我們不僅延續(xù)創(chuàng)新，進一步強化了我們的內(nèi)存和存儲產(chǎn)品組合，還將持續(xù)賦能客戶更好地應(yīng)對數(shù)字化轉(zhuǎn)型的復(fù)雜性。

產(chǎn)品種類:LED照明驅(qū)動器RoHS:  輸入電壓:265 V安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOIC-8系列:封裝:Reel特點:Brightness Control/Dimming產(chǎn)品:LED Drivers 商標(biāo):Monolithic Power Systems (MPS) 產(chǎn)品類型:LED Lighting Drivers

制造商:Infineon產(chǎn)品種類:IGBT 模塊RoHS: 詳細(xì)信息商標(biāo):Infineon Technologies產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules配置:Half Bridge集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V集電極—射極飽和電壓:2.5 V在25 C的連續(xù)集電極電流:210 A柵極—射極漏泄電流:320 nA最大工作溫度:+ 150 C封裝 / 箱體:Half Bridge2柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V最小工作溫度:- 40 C安裝風(fēng)格:ScrewPd-功率耗散:1.25 kW工廠包裝數(shù)量:10

英特爾傲騰持久內(nèi)存通過雙倍數(shù)據(jù)速率總線連接CPU，能夠以DRAM的速度直接進行加載和存儲訪問，同時它也兼具非易失性，融合了內(nèi)存和存儲的最佳特性。

全新NAND固態(tài)盤代表著TLC和QLC作為大容量固態(tài)盤的主流技術(shù)正式邁入全新時代。英特爾®3D NAND 固態(tài)盤670p是用于主流計算的英特爾下一代144層（QLC）3D NAND固態(tài)盤。英特爾固態(tài)盤D7-P5510是全球首個推向市場的144層TLC NAND固態(tài)盤，而英特爾固態(tài)盤D5-P5316則是業(yè)內(nèi)首個采用了144層QLC NAND的數(shù)據(jù)中心級固態(tài)盤。過去十余年間，英特爾始終致力于推動和發(fā)展領(lǐng)先的內(nèi)存和存儲技術(shù)。