R-Car V3U延用了上一代產(chǎn)品R-Car V3M和R-Car V3H中ADAS與Level 2感知堆棧等開發(fā)資源，與Renesas autonomy平臺(tái)一起使用，為實(shí)現(xiàn)基于單芯片的Level 3級別自動(dòng)駕駛構(gòu)建了一條平穩(wěn)的遷移路徑，可縮短開發(fā)周期并實(shí)現(xiàn)安全投產(chǎn)。

先進(jìn)SoC支持業(yè)界嚴(yán)苛的ASIL D級標(biāo)準(zhǔn)自動(dòng)駕駛系統(tǒng)要求功能安全性達(dá)到ASIL D級別——即ISO 26262道路車輛標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的最高、最嚴(yán)苛汽車安全等級。R-Car V3U SoC集成多種精密的安全機(jī)制，可對硬件的隨機(jī)故障進(jìn)行快速檢測與響應(yīng)。

產(chǎn)品種類:LED照明驅(qū)動(dòng)器RoHS:  輸入電壓:265 V安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOIC-8系列:封裝:Reel特點(diǎn):Brightness Control/Dimming產(chǎn)品:LED Drivers 商標(biāo):Monolithic Power Systems (MPS) 產(chǎn)品類型:LED Lighting Drivers

制造商:Infineon產(chǎn)品種類:IGBT 模塊RoHS: 詳細(xì)信息商標(biāo):Infineon Technologies產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules配置:Half Bridge集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V集電極—射極飽和電壓:2.5 V在25 C的連續(xù)集電極電流:210 A柵極—射極漏泄電流:320 nA最大工作溫度:+ 150 C封裝 / 箱體:Half Bridge2柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V最小工作溫度:- 40 C安裝風(fēng)格:ScrewPd-功率耗散:1.25 kW工廠包裝數(shù)量:10

這種設(shè)計(jì)與主動(dòng)鉗位方案的效率相當(dāng)，能夠消除對于二極管和其他器件的需求，從而最大程度地減少器件數(shù)量并降低電路復(fù)雜性。這種設(shè)計(jì)還能支持更快的關(guān)斷時(shí)間，進(jìn)而提高電磁閥和繼電器等機(jī)電器件的可靠性。

這種設(shè)計(jì)只能使用基于陳舊平面技術(shù)的器件。Nexperia汽車重復(fù)雪崩ASFET產(chǎn)品系列專為解決此問題而開發(fā)，能夠提供經(jīng)過十億個(gè)周期測試的可靠重復(fù)雪崩功能。與升壓拓?fù)湎啾�，這一產(chǎn)品系列可以減少多達(dá)15個(gè)板載器件，將器件管腳尺寸效率提高多達(dá)30%，從而簡化設(shè)計(jì)。

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