DRAM的一個行稱為內(nèi)存頁面，多個順序的或不同的列地址。這提高了內(nèi)存訪問速度，降低了內(nèi)存時(shí)延，因?yàn)樵谠L問同一個內(nèi)存頁面中的內(nèi)存單元時(shí)，其不必把行地址重新發(fā)送給DRAM。

在接口到同步處理器時(shí)，DRAM 的異步操作帶來了許多設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。

SDRAM (同步DRAM)是為把DRAM操作同步到計(jì)算機(jī)系統(tǒng)其余部分，而不需要根據(jù)CE# (芯片啟動活動低)、RAS#、CAS#和WE#邊沿轉(zhuǎn)換順序定義所有內(nèi)存操作模式而設(shè)計(jì)的。

SDRAM增加了時(shí)鐘信號和內(nèi)存命令的概念。內(nèi)存命令的類型取決于SDRAM 時(shí)鐘上升沿上的CE#, RAS#,CAS# 和WE# 信號狀態(tài)。產(chǎn)品資料根據(jù)CE#, RAS#,CAS# 和WE# 信號狀態(tài)，以表格形式描述內(nèi)存命令。

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制造商:Linx Technologies 產(chǎn)品種類:RF連接器/同軸連接器 產(chǎn)品:Connectors 射頻系列:U.FL 型式:Jack (Female) 阻抗:50 Ohms 最大頻率:6 GHz 端接類型:SMD/SMT 方向:Straight 極性:Standard 電纜類型:- 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 主體材料:Liquid Crystal Polymer (LCP) 主體類型:Straight 觸點(diǎn)電鍍:Gold 觸點(diǎn)端接:Solder 系列: 電壓額定值:60 VRMS 商標(biāo):Linx Technologies 觸點(diǎn)材料:Copper Alloy 安裝風(fēng)格:PCB Mount 主體表面處理:Nickel 絕緣電阻:500 MOhms 運(yùn)轉(zhuǎn)周期:30 Min 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:- 40 C 產(chǎn)品類型:RF Connectors / Coaxial Connectors 2500 子類別:RF Interconnects 單位重量:308.167 mg

從兩個連續(xù)的時(shí)鐘周期中讀取四個內(nèi)存位置，或把四個內(nèi)存位置寫入兩個連續(xù)的時(shí)鐘周期中。

DDR SDRAM 有多個內(nèi)存條，提供多個隔行掃描的內(nèi)存訪問，從而提高內(nèi)存帶寬。內(nèi)存條是一個內(nèi)存陣列，兩個內(nèi)存條是兩個內(nèi)存陣列，四個內(nèi)存條是四個內(nèi)存陣列，依此類推。四個內(nèi)存條要求兩個位用于內(nèi)存條地址(BA0 和BA1)。

四個內(nèi)存條的DDR SDRAM的工作方式如下。AcTIvate命令在第一個內(nèi)存條中打開一行。第二個AcTIvate命令在第二個內(nèi)存條中打開一行�？梢园裄ead 或Write 命令的任意組合發(fā)送到打開行的第一個內(nèi)存條或第二個內(nèi)存條。

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