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激光器控制電路和雪崩光電二極管

發(fā)布時(shí)間:2020/12/21 21:00:23 訪問次數(shù):262

安捷倫可熱插拔的光纖收發(fā)模塊在發(fā)射和接受部分集成了激光器控制電路和雪崩光電二極管,降低了NEM設(shè)計(jì)周期,縮短了產(chǎn)品的面市時(shí)間。內(nèi)部集成的波長鎖定器節(jié)約了空間,為未來的高密度DWDM應(yīng)用提供了平臺。

安捷倫新型光纖收發(fā)模塊為DWDM交換和路由設(shè)備、多業(yè)務(wù)光傳輸平臺提供了光收發(fā)接口。該產(chǎn)品的傳輸距離現(xiàn)定為160km,未來的產(chǎn)品計(jì)劃實(shí)現(xiàn)300km。新的光纖收發(fā)模塊還可在35dB的光功率預(yù)算時(shí),實(shí)現(xiàn)低功耗操作。

制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TO-252-3 晶體管極性:P-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:55 V Id-連續(xù)漏極電流:11 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:175 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V Qg-柵極電荷:19 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:38 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:2.3 mm 長度:6.5 mm 晶體管類型:1 P-Channel 寬度:6.22 mm 商標(biāo):Infineon / IR 產(chǎn)品類型:MOSFET 2000 子類別:MOSFETs 單位重量:4 g

采用新型分散劑將超細(xì)SrFe磁性顆粒均勻分散、納米級排列控制,從而達(dá)到高信噪比。

新研發(fā)的平滑非磁性層(下層)的使用,更進(jìn)一步提高了磁帶表面的光滑度,減少了磁頭與磁性層的間距,增強(qiáng)了讀取能力。將采用自主技術(shù)精確布局伺服的磁帶與IBM Research全新開發(fā)的“跟蹤技術(shù)”、“信號處理技術(shù)”以及相應(yīng)的寫入/讀取設(shè)備相結(jié)合后,驗(yàn)證了其全球最高的317Gbpsi面記錄密度,成功實(shí)現(xiàn)磁帶容量的進(jìn)一步提升。

作為全球份額第一的計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)用磁帶制造商,富士膠片將繼續(xù)研發(fā)和提供高性能、高品質(zhì)的媒體和服務(wù),以滿足客戶的需求和期望,助力解決社會(huì)問題。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)


安捷倫可熱插拔的光纖收發(fā)模塊在發(fā)射和接受部分集成了激光器控制電路和雪崩光電二極管,降低了NEM設(shè)計(jì)周期,縮短了產(chǎn)品的面市時(shí)間。內(nèi)部集成的波長鎖定器節(jié)約了空間,為未來的高密度DWDM應(yīng)用提供了平臺。

安捷倫新型光纖收發(fā)模塊為DWDM交換和路由設(shè)備、多業(yè)務(wù)光傳輸平臺提供了光收發(fā)接口。該產(chǎn)品的傳輸距離現(xiàn)定為160km,未來的產(chǎn)品計(jì)劃實(shí)現(xiàn)300km。新的光纖收發(fā)模塊還可在35dB的光功率預(yù)算時(shí),實(shí)現(xiàn)低功耗操作。

制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TO-252-3 晶體管極性:P-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:55 V Id-連續(xù)漏極電流:11 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:175 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V Qg-柵極電荷:19 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:38 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:2.3 mm 長度:6.5 mm 晶體管類型:1 P-Channel 寬度:6.22 mm 商標(biāo):Infineon / IR 產(chǎn)品類型:MOSFET 2000 子類別:MOSFETs 單位重量:4 g

采用新型分散劑將超細(xì)SrFe磁性顆粒均勻分散、納米級排列控制,從而達(dá)到高信噪比。

新研發(fā)的平滑非磁性層(下層)的使用,更進(jìn)一步提高了磁帶表面的光滑度,減少了磁頭與磁性層的間距,增強(qiáng)了讀取能力。將采用自主技術(shù)精確布局伺服的磁帶與IBM Research全新開發(fā)的“跟蹤技術(shù)”、“信號處理技術(shù)”以及相應(yīng)的寫入/讀取設(shè)備相結(jié)合后,驗(yàn)證了其全球最高的317Gbpsi面記錄密度,成功實(shí)現(xiàn)磁帶容量的進(jìn)一步提升。

作為全球份額第一的計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)用磁帶制造商,富士膠片將繼續(xù)研發(fā)和提供高性能、高品質(zhì)的媒體和服務(wù),以滿足客戶的需求和期望,助力解決社會(huì)問題。


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