可熱插拔的光纖收發(fā)模塊在發(fā)射和接受部分集成了激光器控制電路和雪崩光電二極管，降低了NEM設(shè)計(jì)周期，縮短了產(chǎn)品的面市時(shí)間。內(nèi)部集成的波長(zhǎng)鎖定器節(jié)約了空間，為未來的高密度DWDM應(yīng)用提供了平臺(tái)。

新型光纖收發(fā)模塊為DWDM交換和路由設(shè)備、多業(yè)務(wù)光傳輸平臺(tái)提供了光收發(fā)接口。該產(chǎn)品的傳輸距離現(xiàn)定為160km，未來的產(chǎn)品計(jì)劃實(shí)現(xiàn)300km。新的光纖收發(fā)模塊還可在35dB的光功率預(yù)算時(shí)，實(shí)現(xiàn)低功耗操作。

制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TO-252-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:100 V Id-連續(xù)漏極電流:9.4 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:210 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.8 V Qg-柵極電荷:25 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:48 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:2.3 mm 長(zhǎng)度:6.5 mm 晶體管類型:1 N-Channel 類型:HEXFET Power MOSFET 寬度:6.22 mm 商標(biāo):Infineon / IR 下降時(shí)間:23 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:23 ns 2000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:32 ns 典型接通延遲時(shí)間:4.5 ns 單位重量:4 g

多路分路器能工作在大于80Gbps的速率。它能把單一的串行高速數(shù)據(jù)流變換成收發(fā)器中的四路差分輸出。因此可以用在無誤差的OC-768網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)。雖然這種多路分路器只工作在一半的速率，其速度已遠(yuǎn)高于SiGe電路，它的功耗卻和SiGe電路的一樣。例如，工作在40 Gbps時(shí)，半速率的多路分路器所消耗的功率僅僅為400毫瓦，是同一速度下的半速率SiGe電路的三分之一。

80 Gbps電路是基于半速率的結(jié)構(gòu)，時(shí)鐘上等效于工作在40 Gbps的全速電路。這些半速電路工作在80 Gbps時(shí)功耗為1.3瓦，在40 Gbps時(shí)為400毫瓦，可以和現(xiàn)在的OC-192系統(tǒng)中的相仿。

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