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隔離DC/DC轉(zhuǎn)換器開關(guān)電源的高端和低端

發(fā)布時間:2020/12/24 23:23:01 訪問次數(shù):1038

Q200-Dual型手機(jī)大小尺寸為86 x 45 x 26.5 mm,它采用越來越流行的雙顯示折疊式外殼。除了雙頻帶,報警鐘和IP撥號等普通功能外,它還有先進(jìn)的內(nèi)置FM收音機(jī)。

最新型的GSM手機(jī),在功能和價格上都很具競爭力。在所有折疊雙顯示移動手機(jī)中,Q200-Dual是世界上第一部帶FM立體聲收音機(jī)的。根據(jù)我們手機(jī)迅速增長的市場份額和制造能力,我們將會以低于同類產(chǎn)品大約20%-30%的價格供應(yīng)新型手機(jī)。在保持功能和價格優(yōu)勢的同時,我們的目標(biāo)是,這條生產(chǎn)線的平均毛利要增加30%。我們希望這種新產(chǎn)品很快能出貨。

制造商:Winbond產(chǎn)品種類:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器RoHS:  類型:SDRAM - DDR3L安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:VFBGA-96數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit組織:128 M x 16存儲容量:2 Gbit訪問時間:20 ns電源電壓-最大:1.35 V最小工作溫度:0 C最大工作溫度:+ 95 C系列:商標(biāo):Winbond 濕度敏感性:Yes 產(chǎn)品類型:DRAM 198 子類別:Memory & Data Storage 單位重量:3.651 g

一種30-V N-MOSFET FDS6688,與以前的產(chǎn)品FDS6694相結(jié)合,可以為筆記本電腦,臺式機(jī),以及隔離DC/DC轉(zhuǎn)換器提高了效率。

FDS6694與FDS6688采用快捷半導(dǎo)體公司的PowerTrench MOSFET技術(shù),為開關(guān)電源的高端和低端提供RDS(on)和QG參數(shù)優(yōu)化功能。它具有低柵極電荷,低柵電阻,低導(dǎo)通電阻和芯片尺寸小等特點。其4.5V的低導(dǎo)通電阻使它能在一個很大的范圍下有效的工作。

快捷半導(dǎo)體公司的N- MOSFET為SO-8封裝,額定工作溫度175攝氏度。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

Q200-Dual型手機(jī)大小尺寸為86 x 45 x 26.5 mm,它采用越來越流行的雙顯示折疊式外殼。除了雙頻帶,報警鐘和IP撥號等普通功能外,它還有先進(jìn)的內(nèi)置FM收音機(jī)。

最新型的GSM手機(jī),在功能和價格上都很具競爭力。在所有折疊雙顯示移動手機(jī)中,Q200-Dual是世界上第一部帶FM立體聲收音機(jī)的。根據(jù)我們手機(jī)迅速增長的市場份額和制造能力,我們將會以低于同類產(chǎn)品大約20%-30%的價格供應(yīng)新型手機(jī)。在保持功能和價格優(yōu)勢的同時,我們的目標(biāo)是,這條生產(chǎn)線的平均毛利要增加30%。我們希望這種新產(chǎn)品很快能出貨。

制造商:Winbond產(chǎn)品種類:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器RoHS:  類型:SDRAM - DDR3L安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:VFBGA-96數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit組織:128 M x 16存儲容量:2 Gbit訪問時間:20 ns電源電壓-最大:1.35 V最小工作溫度:0 C最大工作溫度:+ 95 C系列:商標(biāo):Winbond 濕度敏感性:Yes 產(chǎn)品類型:DRAM 198 子類別:Memory & Data Storage 單位重量:3.651 g

一種30-V N-MOSFET FDS6688,與以前的產(chǎn)品FDS6694相結(jié)合,可以為筆記本電腦,臺式機(jī),以及隔離DC/DC轉(zhuǎn)換器提高了效率。

FDS6694與FDS6688采用快捷半導(dǎo)體公司的PowerTrench MOSFET技術(shù),為開關(guān)電源的高端和低端提供RDS(on)和QG參數(shù)優(yōu)化功能。它具有低柵極電荷,低柵電阻,低導(dǎo)通電阻和芯片尺寸小等特點。其4.5V的低導(dǎo)通電阻使它能在一個很大的范圍下有效的工作。

快捷半導(dǎo)體公司的N- MOSFET為SO-8封裝,額定工作溫度175攝氏度。

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