MOSFET 半導(dǎo)體的一個關(guān)鍵參數(shù)是 fmax(最大頻率)。Fmax 以高頻增益的形式體現(xiàn)了原始制程的性能。Fmax是晶體管功率增益降至 1 時的頻率。多年來，隨著門電路尺寸的減小，fmax 頻率逐漸增加。不幸的是，現(xiàn)在頻率的提升逐步減緩，甚至發(fā)生逆轉(zhuǎn)。

在 28nm 時，fmax 的峰值大約是 360GHz。在 14nm 節(jié)點(diǎn)中，fmax 暴跌至 28nm 時的一半，即 160GHz。頻率降低的原因是復(fù)雜的。制程寄生電阻和電容的增加，逐漸成為限制性能提高的主導(dǎo)因素。

閃存的排列可通過熱電子注入的方法進(jìn)行編程，以得到高的寫入速度。從源區(qū)注入熱電子能改善浮置柵注入效率，進(jìn)行低電流快速并行寫入。

日立公司計劃采用多層單元技術(shù)來開發(fā)1G位閃存和其它器件的閃存控制器。

采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)300引腳MSA形式，參考設(shè)計/EVM能使生產(chǎn)者很快開發(fā)出OC-192VSR轉(zhuǎn)發(fā)器�，F(xiàn)在可提供SLK2504收發(fā)器的樣品，為289引腳的BGA封裝。

線纜寬帶消費(fèi)類電子的MT2050寬帶調(diào)諧器/放大器包括有在單片上實(shí)現(xiàn)所有RF功能的所有有源電路。根據(jù)公司的介紹，和其它的至少要用兩個片子和附加外部有源電路的RF解決方案相比，該器件降低RF材料清單成本25%，板的空間降低20%，而功耗減小11%。

器件的接收頻率在48-860MHz之間，能把所選擇的通道轉(zhuǎn)換成標(biāo)準(zhǔn)的中頻。所支持的中頻包括NTSC，PAL和數(shù)字標(biāo)準(zhǔn)如DOCSIS1.1,DOCSIS2.0和 EuroDOCSIS所用的頻率。

為了簡化評估，MT2050 RF參考設(shè)計包括所有要用的軟件和硬件。器件封在48引腳的MIL封裝，僅消耗1.5W的功耗。