DDR3模式寄存器對CAS讀出時延和寫入時延的設置
發(fā)布時間:2020/12/19 22:56:56 訪問次數(shù):729
RFID 技術在物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展中具有舉足輕重的地位，重點體現(xiàn)在物聯(lián)網(wǎng)感知層層面.
交通領域中，RFID 最常見于人們常提到的 ETC 系統(tǒng)中，ETC 系統(tǒng)就是所謂的“不停車收費系統(tǒng)”，它能實現(xiàn)車輛不停車同時完成自動收費。ETC 系統(tǒng)結合了現(xiàn)代通信技術、電子技術、自動控制技術、計算機和網(wǎng)絡技術等高新技術為主導，當車輛身上安裝的 RFID 標簽靠近 ETC 讀寫器的范圍內時（通常為 1－10 米），ETC 讀寫器發(fā)射出微波查詢信號，車輛上的 RFID 標簽收到讀寫器的查詢信號后，又會將此信號與電子標簽自身的數(shù)據(jù)信息（如高速里程、車輛信息等）反射回讀卡器中。這樣做最大的好處是減少了人工收費的麻煩，提高了車輛通關效率，避免堵車麻煩。
制造商:Anaren產(chǎn)品種類:信號調節(jié)發(fā)貨限制：Mouser目前不銷售該產(chǎn)品。RoHS:是產(chǎn)品類型:Filters產(chǎn)品:Baluns頻率范圍:200 MHz to 500 MHz阻抗:200 Ohms端接類型:SMD/SMT封裝 / 箱體:1608 (4121metric)最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 85 C封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel安裝:SMD/SMT工作溫度范圍:- 55 C to + 85 C類型:Ultral Low Profile Balun商標:Anaren介入損耗:1.3 dB工廠包裝數(shù)量:4000子類別:Filters商標名:Xinger
DDR3 SDRAM 是一種性能演進版本，增強了SDRAM技術，它從800 Mb/s開始，這是大多數(shù)DDR2 SDRAM支持的最高數(shù)據(jù)速率。DDR3 SDRAM支持六檔數(shù)據(jù)速率和時鐘速度(參見表3)。DDR3-800/1066/1333SDRAM 于2007 年投入使用，DDR3-1600/1866SDRAM 則預計在2008 年投入使用，DDR3-2133SDRAM 則預計在2009 投入使用。
一個重要差異是DDR2 模式寄存器規(guī)定了讀出操作的CAS 時延，寫入時延則是1減去模式寄存器讀出時延設置。DDR3模式寄存器對CAS 讀出時延和寫入時延的設置是唯一的。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝）
RFID 技術在物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展中具有舉足輕重的地位，重點體現(xiàn)在物聯(lián)網(wǎng)感知層層面.
交通領域中，RFID 最常見于人們常提到的 ETC 系統(tǒng)中，ETC 系統(tǒng)就是所謂的“不停車收費系統(tǒng)”，它能實現(xiàn)車輛不停車同時完成自動收費。ETC 系統(tǒng)結合了現(xiàn)代通信技術、電子技術、自動控制技術、計算機和網(wǎng)絡技術等高新技術為主導，當車輛身上安裝的 RFID 標簽靠近 ETC 讀寫器的范圍內時（通常為 1－10 米），ETC 讀寫器發(fā)射出微波查詢信號，車輛上的 RFID 標簽收到讀寫器的查詢信號后，又會將此信號與電子標簽自身的數(shù)據(jù)信息（如高速里程、車輛信息等）反射回讀卡器中。這樣做最大的好處是減少了人工收費的麻煩，提高了車輛通關效率，避免堵車麻煩。
制造商:Anaren產(chǎn)品種類:信號調節(jié)發(fā)貨限制：Mouser目前不銷售該產(chǎn)品。RoHS:是產(chǎn)品類型:Filters產(chǎn)品:Baluns頻率范圍:200 MHz to 500 MHz阻抗:200 Ohms端接類型:SMD/SMT封裝 / 箱體:1608 (4121metric)最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 85 C封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel安裝:SMD/SMT工作溫度范圍:- 55 C to + 85 C類型:Ultral Low Profile Balun商標:Anaren介入損耗:1.3 dB工廠包裝數(shù)量:4000子類別:Filters商標名:Xinger
DDR3 SDRAM 是一種性能演進版本，增強了SDRAM技術，它從800 Mb/s開始，這是大多數(shù)DDR2 SDRAM支持的最高數(shù)據(jù)速率。DDR3 SDRAM支持六檔數(shù)據(jù)速率和時鐘速度(參見表3)。DDR3-800/1066/1333SDRAM 于2007 年投入使用，DDR3-1600/1866SDRAM 則預計在2008 年投入使用，DDR3-2133SDRAM 則預計在2009 投入使用。
一個重要差異是DDR2 模式寄存器規(guī)定了讀出操作的CAS 時延，寫入時延則是1減去模式寄存器讀出時延設置。DDR3模式寄存器對CAS 讀出時延和寫入時延的設置是唯一的。
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