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技術(shù)MCA 8卡旋轉(zhuǎn)速度決定的Gaudi 解決方案

發(fā)布時間:2020/12/26 12:45:28 訪問次數(shù):311

英特爾就云計算創(chuàng)新發(fā)展、智慧云基礎(chǔ)設(shè)施,及前沿技術(shù)趨勢等話題開設(shè)了分論壇。英特爾攜手廣大開發(fā)者共同探討,如何通過英特爾AI加速、傲騰技術(shù)、全新的Xe計算架構(gòu)技術(shù)等方案,加速開發(fā)和交付。而在5G、AI等轉(zhuǎn)折性技術(shù)不斷催生全新計算場景的當下,如何在日益豐富的場景中釋放更大價值,滿足日趨多元化的計算需求,也是重要話題之一。

英特爾也在多個主、分論壇上進行了分享,其中包括可靠性提升背后的技術(shù)MCA Recovery、加速網(wǎng)關(guān)(Barefoot)、云原生虛擬化技術(shù)與高性能網(wǎng)絡(luò)開源技術(shù)等內(nèi)容,展現(xiàn)了英特爾全面而豐富的產(chǎn)品組合,以及在軟硬件協(xié)同方面的深厚積淀。

在Habana Gaudi上進行EC2機器學(xué)習(xí)訓(xùn)練實例,相比GPU的EC2實例提高了40%的性價比。8卡的Gaudi 解決方案可以在TensorFlow上每秒處理12000張圖像訓(xùn)練ResNet-50模型。每個Gaudi處理器集成了32GB的HBM2內(nèi)存,并集成了用于服務(wù)器內(nèi)部處理器互聯(lián)的RoCE功能。

憑借AWS彈性架構(gòu)適配器(EFA)的技術(shù)可以跨服務(wù)器擴展,從而允許AWS及其客戶無縫地擴展使用多個基于Gaudi的系統(tǒng)以實現(xiàn)高效和可擴展的分布式訓(xùn)練。

單晶硅棒的直徑是由籽晶拉出的速度和旋轉(zhuǎn)速度決定的,一般來說,上拉速率越慢,生長的單晶硅棒直徑越大。而切出的晶圓片的厚度與直徑有關(guān),雖然半導(dǎo)體器件的制備只在晶圓的頂部幾微米的范圍內(nèi)完成,但是晶圓的厚度一般要達到1 mm,才能保證足夠的機械應(yīng)力支撐,因此晶圓的厚度會隨直徑的增長而增長。

晶圓制造廠把這些多晶硅融解,再在融液里種入籽晶,然后將其慢慢拉出,以形成圓柱狀的單晶硅晶棒,由于硅晶棒是由一顆晶面取向確定的籽晶在熔融態(tài)的硅原料中逐漸生成,此過程稱為“長晶”。硅晶棒再經(jīng)過切段,滾磨,切片,倒角,拋光,激光刻,包裝后,即成為集成電路工廠的基本原料——硅晶圓片,這就是“晶圓”。



(素材來源:21ic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

英特爾就云計算創(chuàng)新發(fā)展、智慧云基礎(chǔ)設(shè)施,及前沿技術(shù)趨勢等話題開設(shè)了分論壇。英特爾攜手廣大開發(fā)者共同探討,如何通過英特爾AI加速、傲騰技術(shù)、全新的Xe計算架構(gòu)技術(shù)等方案,加速開發(fā)和交付。而在5G、AI等轉(zhuǎn)折性技術(shù)不斷催生全新計算場景的當下,如何在日益豐富的場景中釋放更大價值,滿足日趨多元化的計算需求,也是重要話題之一。

英特爾也在多個主、分論壇上進行了分享,其中包括可靠性提升背后的技術(shù)MCA Recovery、加速網(wǎng)關(guān)(Barefoot)、云原生虛擬化技術(shù)與高性能網(wǎng)絡(luò)開源技術(shù)等內(nèi)容,展現(xiàn)了英特爾全面而豐富的產(chǎn)品組合,以及在軟硬件協(xié)同方面的深厚積淀。

在Habana Gaudi上進行EC2機器學(xué)習(xí)訓(xùn)練實例,相比GPU的EC2實例提高了40%的性價比。8卡的Gaudi 解決方案可以在TensorFlow上每秒處理12000張圖像訓(xùn)練ResNet-50模型。每個Gaudi處理器集成了32GB的HBM2內(nèi)存,并集成了用于服務(wù)器內(nèi)部處理器互聯(lián)的RoCE功能。

憑借AWS彈性架構(gòu)適配器(EFA)的技術(shù)可以跨服務(wù)器擴展,從而允許AWS及其客戶無縫地擴展使用多個基于Gaudi的系統(tǒng)以實現(xiàn)高效和可擴展的分布式訓(xùn)練。

單晶硅棒的直徑是由籽晶拉出的速度和旋轉(zhuǎn)速度決定的,一般來說,上拉速率越慢,生長的單晶硅棒直徑越大。而切出的晶圓片的厚度與直徑有關(guān),雖然半導(dǎo)體器件的制備只在晶圓的頂部幾微米的范圍內(nèi)完成,但是晶圓的厚度一般要達到1 mm,才能保證足夠的機械應(yīng)力支撐,因此晶圓的厚度會隨直徑的增長而增長。

晶圓制造廠把這些多晶硅融解,再在融液里種入籽晶,然后將其慢慢拉出,以形成圓柱狀的單晶硅晶棒,由于硅晶棒是由一顆晶面取向確定的籽晶在熔融態(tài)的硅原料中逐漸生成,此過程稱為“長晶”。硅晶棒再經(jīng)過切段,滾磨,切片,倒角,拋光,激光刻,包裝后,即成為集成電路工廠的基本原料——硅晶圓片,這就是“晶圓”。



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