ROHM將持續(xù)擴充封裝陣容，以支持更廣泛的應用。還計劃推進車載級產(chǎn)品的開發(fā)。除此以外，隨著人們利用網(wǎng)絡的“云端”工作模式和生活模式的快速發(fā)展，需要進一步豐富適用于需求日益擴大的數(shù)據(jù)中心服務器以及5G基站的產(chǎn)品陣容。ROHM在此次推出的第五代Pch MOSFET基礎上，還將持續(xù)推進更高效率的Nch MOSFET*2開發(fā)工作，為減少應用產(chǎn)品的設計工時并提高可靠性和效率做出貢獻。

在工業(yè)設備和消費電子設備等領域，采用高輸入電壓的電源電路來實現(xiàn)高級控制的客戶越來越多，對于MOSFET產(chǎn)品，除了低導通電阻的要求之外，也表現(xiàn)出對高耐壓性能與日俱增的需求。

金屬－氧化物－半導體場效應晶體管，是FET中最常用的結構。用作開關元件。

Pch MOSFET：通過向柵極施加相對于源極為負的電壓而導通的MOSFET�？捎帽鹊陀谳斎腚妷旱偷碾妷候寗樱虼穗娐方Y構較為簡單。

器件能降低設計時間，減少元件數(shù)目和板的空間，使工程師能用一個RF單元包來代替包括晶體管，電阻和電容等多個分立元件。

Nch MOSFET：通過向柵極施加相對于源極為正的電壓而導通的MOSFET。相比Pch MOSFET，漏源間的導通電阻更小，因此可減少常規(guī)損耗。

使MOSFET啟動（ON）時漏極與源極之間的電阻值。該值越小，則運行時的損耗（電力損耗）越少。

溝槽（Trench）意為凹槽。是在芯片表面形成凹槽，并在其側壁形成MOSFET柵極的結構。不存在平面型MOSFET在結構上存在的JFET電阻，比平面結構更容易實現(xiàn)微細化。

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