多端口DDR存儲(chǔ)器器控制器，和昨天公布的LSI Logic公司的DDR PHY 核一起，給LSI Logic公司的客戶提供了芯片上系統(tǒng)(SoC)ASIC和Rapid Chip設(shè)計(jì)的完整的DDR存儲(chǔ)器系統(tǒng)接口解決方案。

DDR控制器支持8個(gè)32/64位可配置的端口。這種靈活的結(jié)構(gòu)能很容易支持新的線路緩沖器寫(xiě)入總線配置，判定方案和128/256/512M位DDR存儲(chǔ)器。在它的默認(rèn)配置，存儲(chǔ)器控制器提供片上接口，支持多個(gè)高級(jí)微控制器結(jié)構(gòu)(AMBATM)ABH線路緩沖器，其配置寬度和深度適用于完整的多端口AMBA存儲(chǔ)器子系統(tǒng)�？膳渲玫慕Y(jié)構(gòu)也允許定制以滿足特殊用戶的需要如等待時(shí)間和帶寬。

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 晶體管極性:NPN 配置:Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:100 V 集電極—基極電壓 VCBO:100 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V 集電極—射極飽和電壓:1.5 V 最大直流電集電極電流:6 A Pd-功率耗散:65 W 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C 系列: 封裝:Tube 直流電流增益 hFE 最大值:75 高度:9.15 mm 長(zhǎng)度:10.4 mm 技術(shù):Si 寬度:4.6 mm 商標(biāo):STMicroelectronics 集電極連續(xù)電流:6 A 直流集電極/Base Gain hfe Min:15 產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors 1000 子類別:Transistors 單位重量:6 g

新型微轉(zhuǎn)換器系列產(chǎn)品AduC831,AduC841,AduC832和AduC842，擴(kuò)充了該公司單片數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)系列產(chǎn)品。新器件保持了原有產(chǎn)品的模數(shù)變換高精度特點(diǎn)，而片上存儲(chǔ)器容量增加了八倍，以適應(yīng)更大的程序和C程序的需要。

AduC831/841，代替AduC812，能用在需要更大存儲(chǔ)器容量和/或更高內(nèi)核速度的地方。所不同是，ASDuC831每指令有12時(shí)鐘，最高時(shí)鐘速率為16MHz,而AduC841每指令有1時(shí)鐘，最高時(shí)鐘速率3V時(shí)為16MHz,5V時(shí)為25MHz。高頻時(shí)鐘是由外部提供。

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