自振頻率(SRF)和寄生電感低超高頻應(yīng)用性能
發(fā)布時(shí)間:2021/1/1 10:36:46 訪問次數(shù):751
一種高度只有0.18mm業(yè)界最小的0402電容HPC0402B,這種基于硅的片狀電容最適宜用在智能卡上。它是高精度電容,ESR值低,Q值高,超高自振頻率(SRF)和寄生電感低,工作電壓從6V到25V,能工作在較高的頻率,容量從10pF到180pF,誤差為±1%。
因?yàn)檩^小的電容不會出現(xiàn)彎曲的應(yīng)力,智能卡較少出現(xiàn)裂層,因此可靠性得到改善。現(xiàn)在可提供表面安裝或直插。

制造商:Infineon產(chǎn)品種類:IGBT 模塊RoHS:否商標(biāo):Infineon Technologies產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules配置:Dual集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1700 V集電極—射極飽和電壓:2.6 V在25 C的連續(xù)集電極電流:300 A柵極—射極漏泄電流:200 nA最大工作溫度:+ 125 C封裝 / 箱體:62 mm柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V最小工作溫度:- 40 C安裝風(fēng)格:ScrewPd-功率耗散:1.25 kW工廠包裝數(shù)量:10
硅的RF電容HPC0402A,它在超高頻應(yīng)用上提高了性能,而尺寸較以前的產(chǎn)品卻降低了45%。根據(jù)該公司專有的半導(dǎo)體工藝,SMT器件結(jié)構(gòu)允許元件間的距離更近,降低了寄生線。
指標(biāo)包括有容量0.6-180pF,電壓6-25V,誤差為±1% 精確到 0.05pF。2.5GHz的Q值為2和198,自振頻率(SRF)在1.2-17.8GHz之間。這使電容能穩(wěn)定地工作在幾GHz的頻率。該電容的溫度范圍為-55度 到+125度,溫度系數(shù)為±30 ppm/度,+125度在兩倍額定功率下的壽命為1000小時(shí)。尺寸大小為0402(1.02mmx0.51mm),高度為0.40mm。
一種高度只有0.18mm業(yè)界最小的0402電容HPC0402B,這種基于硅的片狀電容最適宜用在智能卡上。它是高精度電容,ESR值低,Q值高,超高自振頻率(SRF)和寄生電感低,工作電壓從6V到25V,能工作在較高的頻率,容量從10pF到180pF,誤差為±1%。
因?yàn)檩^小的電容不會出現(xiàn)彎曲的應(yīng)力,智能卡較少出現(xiàn)裂層,因此可靠性得到改善,F(xiàn)在可提供表面安裝或直插。

制造商:Infineon產(chǎn)品種類:IGBT 模塊RoHS:否商標(biāo):Infineon Technologies產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules配置:Dual集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1700 V集電極—射極飽和電壓:2.6 V在25 C的連續(xù)集電極電流:300 A柵極—射極漏泄電流:200 nA最大工作溫度:+ 125 C封裝 / 箱體:62 mm柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V最小工作溫度:- 40 C安裝風(fēng)格:ScrewPd-功率耗散:1.25 kW工廠包裝數(shù)量:10
硅的RF電容HPC0402A,它在超高頻應(yīng)用上提高了性能,而尺寸較以前的產(chǎn)品卻降低了45%。根據(jù)該公司專有的半導(dǎo)體工藝,SMT器件結(jié)構(gòu)允許元件間的距離更近,降低了寄生線。
指標(biāo)包括有容量0.6-180pF,電壓6-25V,誤差為±1% 精確到 0.05pF。2.5GHz的Q值為2和198,自振頻率(SRF)在1.2-17.8GHz之間。這使電容能穩(wěn)定地工作在幾GHz的頻率。該電容的溫度范圍為-55度 到+125度,溫度系數(shù)為±30 ppm/度,+125度在兩倍額定功率下的壽命為1000小時(shí)。尺寸大小為0402(1.02mmx0.51mm),高度為0.40mm。
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