1.8V電源電壓135個塊的4兆位的自動待機模式
發(fā)布時間:2021/1/1 15:54:29 訪問次數(shù):172
64兆位的M58WR064ET和 M58WR064EB是首次將多片體系結構、1.8V電源電壓和同步突發(fā)讀模式集于一身的器件，這些器件有助于提高技術更為復雜的第三代移動電話的性能。這兩款產品的開發(fā)成功，證實了意法半導體 (ST)堅持用創(chuàng)新的解決方案滿足市場對高級應用的需求的承諾。
每個器件都由可以再細分成135個塊的4兆位的片構成，每片含有8個32千字的主塊，這種片共有15片，另外還有一個含有8個4千字的參數(shù)塊和7個32千字主塊的參數(shù)片。在M58WR064ET中，參數(shù)塊位于存儲器地址空間的上部，而在M58WR064EB中，參數(shù)塊位于存儲器地址空間的下部。
濕度敏感性:Yes ADC通道數(shù)量:13 Channel 處理器系列:TMS320F28027 產品類型:32-bit Microcontrollers - MCU 工廠包裝數(shù)量1000 子類別:Microcontrollers - MCU 電源電壓-最大:1.89 V 電源電壓-最小:1.71 V 單位重量:181.700 mg
零件號別名:SP000750444 BFR38FH6327XT BFR380FH6327XTSA1單位重量:1.430 mg
從任何其它塊上讀取數(shù)據時，可以暫停編程操作，讀操作結束后可以繼續(xù)編程。使用VDD電源電壓，每個塊可以編程和擦除100,000次以上。使用兩個增強型工廠編程命令，可以加快編程速度。
自動待機模式是這些器件的特性之一，在異步讀操作下，當一條總線停止工作150ns后，它們會自動切換成待機模式，在這種條件下，功耗降低了，但輸出仍然繼續(xù)。
新產品采用7.7 x 9mm VFBGA56封裝，焊球節(jié)距0.75mm，供貨時所有位被擦除(設置成"1")。
兩款多片閃存，新產品采用該公司最先進的0.15mm 技術工藝，將應用在高性能的下一代移動電話。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝）
64兆位的M58WR064ET和 M58WR064EB是首次將多片體系結構、1.8V電源電壓和同步突發(fā)讀模式集于一身的器件，這些器件有助于提高技術更為復雜的第三代移動電話的性能。這兩款產品的開發(fā)成功，證實了意法半導體 (ST)堅持用創(chuàng)新的解決方案滿足市場對高級應用的需求的承諾。
每個器件都由可以再細分成135個塊的4兆位的片構成，每片含有8個32千字的主塊，這種片共有15片，另外還有一個含有8個4千字的參數(shù)塊和7個32千字主塊的參數(shù)片。在M58WR064ET中，參數(shù)塊位于存儲器地址空間的上部，而在M58WR064EB中，參數(shù)塊位于存儲器地址空間的下部。
濕度敏感性:Yes ADC通道數(shù)量:13 Channel 處理器系列:TMS320F28027 產品類型:32-bit Microcontrollers - MCU 工廠包裝數(shù)量1000 子類別:Microcontrollers - MCU 電源電壓-最大:1.89 V 電源電壓-最小:1.71 V 單位重量:181.700 mg
零件號別名:SP000750444 BFR38FH6327XT BFR380FH6327XTSA1單位重量:1.430 mg
從任何其它塊上讀取數(shù)據時，可以暫停編程操作，讀操作結束后可以繼續(xù)編程。使用VDD電源電壓，每個塊可以編程和擦除100,000次以上。使用兩個增強型工廠編程命令，可以加快編程速度。
自動待機模式是這些器件的特性之一，在異步讀操作下，當一條總線停止工作150ns后，它們會自動切換成待機模式，在這種條件下，功耗降低了，但輸出仍然繼續(xù)。
新產品采用7.7 x 9mm VFBGA56封裝，焊球節(jié)距0.75mm，供貨時所有位被擦除(設置成"1")。
兩款多片閃存，新產品采用該公司最先進的0.15mm 技術工藝，將應用在高性能的下一代移動電話。
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