在5G手機中，出現(xiàn)了一個新名詞：LPDDR5。例如小米10/Pro發(fā)布時，小米的掌門人雷軍先生稱搭載了的LPDDR5內(nèi)存，帶來了強悍的性能，例如與前代產(chǎn)品相比，數(shù)據(jù)訪問速度提升了 50%，在游戲場景下功耗降低了約 20%，更多的手機廠商推出了帶LPDDR5的手機。

LPDDR是針對RAM（運行內(nèi)存）的低功耗DDR內(nèi)存，全稱Low Power Double Data Rate（低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率內(nèi)存），是美國JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會面向低功耗內(nèi)存而制定的通信標準，以低功耗和小體積著稱，專門用于移動式電子產(chǎn)品。而LPDDR5就是最新的標準。

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有一個經(jīng)典的“5G之花”，說明了5G比4G的優(yōu)勢，可見除了速率更快之外，5G空中接口的時延更低，只有4G的1/5；峰值速率更高，是4G的20倍；移動性更快，是4G的4倍等特點。

提升存儲密度最好的辦法是采用更為先進的工藝，例如美光在LPDDR5產(chǎn)品中采用了目前存儲芯片制程中最先進的1Z納米的制程技術(shù)工藝。 然而1Z納米技術(shù)并不是工藝的極限，在1Z納米之后，還會有1α、1β、1γ等10納米級制造的工藝。

20納米相當(dāng)于一根頭發(fā)絲直徑的三千分之一。在內(nèi)存工藝進入20nm之后，由于制造難度越來越高，內(nèi)存芯片公司對工藝的定義已經(jīng)不是具體的線寬，而是分成了1X、1Y、1Z，1X工藝相當(dāng)于16~19納米、1Y相當(dāng)于14~16納米，1Z相當(dāng)于12~14納米的級別。