分布式UI框架和軌到軌柵極電壓控制
發(fā)布時(shí)間:2020/12/16 23:45:24 訪問(wèn)次數(shù):911
開發(fā)者獲得全方位支持,享受“應(yīng)用天生跨端”的全新開發(fā)體驗(yàn),由于物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備品類繁多且操作系統(tǒng)不同,開發(fā)者需要為手機(jī)、手表等不同設(shè)備重復(fù)開發(fā)應(yīng)用,且不同尺寸屏幕的設(shè)計(jì)和交互適配困難。華為提供了一系列構(gòu)建全場(chǎng)景應(yīng)用的完整框架和開發(fā)工具平臺(tái),幫助應(yīng)用開發(fā)者快速上手、高效適配。
得益于包括分布式系統(tǒng)服務(wù)、軟件服務(wù)、硬件能力服務(wù)等在內(nèi)的超過(guò)15000個(gè)API,HarmonyOS的應(yīng)用天生跨端,讓全場(chǎng)景多設(shè)備開發(fā)像單設(shè)備開發(fā)一樣簡(jiǎn)單,實(shí)現(xiàn)了一次開發(fā),多端部署;分布式UI框架能夠讓應(yīng)用布局自適應(yīng)多種屏幕尺寸,開發(fā)效率倍增;新升級(jí)的集成開發(fā)工具DevEco Studio 2.0實(shí)現(xiàn)編碼實(shí)時(shí)預(yù)覽、分布調(diào)試,開發(fā)應(yīng)用變得更簡(jiǎn)單。
產(chǎn)品:Switching Diodes 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOD-80C-2 峰值反向電壓:100 V 最大浪涌電流:4 A If - 正向電流:200 mA 配置:Single 恢復(fù)時(shí)間:4 ns Vf - 正向電壓:1 V Ir - 反向電流 :0.025 uA 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 200 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 高度:1.6 mm 長(zhǎng)度:3.7 mm 類型:Switching Diode 寬度:1.6 mm 商標(biāo):Nexperia 產(chǎn)品類型:Diodes - General Purpose, Power, Switching 工廠包裝數(shù)量:2500 子類別:Diodes & Rectifiers 零件號(hào)別名:933930220115 單位重量:58 mg
MC33GD3100是SiC和IGBT功率器件單路柵極驅(qū)動(dòng)器.其集成的電流隔離和低開態(tài)電阻提供了高的充電和放電電流,低動(dòng)態(tài)飽和電壓和軌到軌柵極電壓控制.電流和溫度檢測(cè)最大限度降低IGBT故障時(shí)的應(yīng)力,精確和可配置的欠壓鎖住(UVLO)提供了保護(hù),從而保證了柵極驅(qū)動(dòng)電壓的富裕度.
MC33GD3100通過(guò)INTB引腳和SPI接口自主管理故障和報(bào)告故障與狀態(tài).器件能直接驅(qū)動(dòng)大多數(shù)的IGBT和SiC MOSFET.器件還提供自測(cè),控制和保護(hù)功能以用于高可靠性系統(tǒng)(ASIL C/D)的設(shè)計(jì). MC33GD3100滿足汽車應(yīng)用的確最嚴(yán)格要求,完全具有AEC-Q100 grade 1資質(zhì).
(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
開發(fā)者獲得全方位支持,享受“應(yīng)用天生跨端”的全新開發(fā)體驗(yàn),由于物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備品類繁多且操作系統(tǒng)不同,開發(fā)者需要為手機(jī)、手表等不同設(shè)備重復(fù)開發(fā)應(yīng)用,且不同尺寸屏幕的設(shè)計(jì)和交互適配困難。華為提供了一系列構(gòu)建全場(chǎng)景應(yīng)用的完整框架和開發(fā)工具平臺(tái),幫助應(yīng)用開發(fā)者快速上手、高效適配。
得益于包括分布式系統(tǒng)服務(wù)、軟件服務(wù)、硬件能力服務(wù)等在內(nèi)的超過(guò)15000個(gè)API,HarmonyOS的應(yīng)用天生跨端,讓全場(chǎng)景多設(shè)備開發(fā)像單設(shè)備開發(fā)一樣簡(jiǎn)單,實(shí)現(xiàn)了一次開發(fā),多端部署;分布式UI框架能夠讓應(yīng)用布局自適應(yīng)多種屏幕尺寸,開發(fā)效率倍增;新升級(jí)的集成開發(fā)工具DevEco Studio 2.0實(shí)現(xiàn)編碼實(shí)時(shí)預(yù)覽、分布調(diào)試,開發(fā)應(yīng)用變得更簡(jiǎn)單。
產(chǎn)品:Switching Diodes 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOD-80C-2 峰值反向電壓:100 V 最大浪涌電流:4 A If - 正向電流:200 mA 配置:Single 恢復(fù)時(shí)間:4 ns Vf - 正向電壓:1 V Ir - 反向電流 :0.025 uA 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 200 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 高度:1.6 mm 長(zhǎng)度:3.7 mm 類型:Switching Diode 寬度:1.6 mm 商標(biāo):Nexperia 產(chǎn)品類型:Diodes - General Purpose, Power, Switching 工廠包裝數(shù)量:2500 子類別:Diodes & Rectifiers 零件號(hào)別名:933930220115 單位重量:58 mg
MC33GD3100是SiC和IGBT功率器件單路柵極驅(qū)動(dòng)器.其集成的電流隔離和低開態(tài)電阻提供了高的充電和放電電流,低動(dòng)態(tài)飽和電壓和軌到軌柵極電壓控制.電流和溫度檢測(cè)最大限度降低IGBT故障時(shí)的應(yīng)力,精確和可配置的欠壓鎖住(UVLO)提供了保護(hù),從而保證了柵極驅(qū)動(dòng)電壓的富裕度.
MC33GD3100通過(guò)INTB引腳和SPI接口自主管理故障和報(bào)告故障與狀態(tài).器件能直接驅(qū)動(dòng)大多數(shù)的IGBT和SiC MOSFET.器件還提供自測(cè),控制和保護(hù)功能以用于高可靠性系統(tǒng)(ASIL C/D)的設(shè)計(jì). MC33GD3100滿足汽車應(yīng)用的確最嚴(yán)格要求,完全具有AEC-Q100 grade 1資質(zhì).
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