DDR SDRAM功率與內(nèi)存電容充放電的特性
發(fā)布時間:2020/12/19 22:18:02 訪問次數(shù):974
通過利用電容充放電的特性來存儲數(shù)據(jù),而是利用設(shè)置晶體管的狀態(tài)來決定邏輯狀態(tài)——同CPU中的邏輯狀態(tài)一樣。讀取操作對于SRAM不是破壞性的,所以SRAM不存在刷新的問題。
RFID 是一種無線系統(tǒng),基礎(chǔ)的 RFID 系統(tǒng)由電子標簽、閱讀器和天線三部分組成,當當電子標簽進入磁場后,如果接收到閱讀器發(fā)出的特殊射頻信號,就能憑借感應電流所獲得的能量,發(fā)送出存儲在芯片中的信息或者主動發(fā)送某一頻率的信號。閱讀器讀取信息并解碼后,送至中央信息系統(tǒng)進行有關(guān)數(shù)據(jù)處理。
標準包裝:1類別:連接器,互連器件家庭:卡邊緣連接器 - 邊緣板連接器系列:-包裝:托盤卡類型:非指定 - 雙邊公母:母頭位/盤/排數(shù):43針腳數(shù):86卡厚度:0.031"(0.79mm)排數(shù):2間距:0.100"(2.54mm)特性:-安裝類型:通孔端接:焊接觸頭材料:銅鈹觸頭鍍層:金觸頭鍍層厚度:30μin(0.76μm)觸頭類型:全波紋管顏色:綠法蘭特性:側(cè)面安裝開口,無螺紋,0.125"(3.18mm)直徑材料 - 絕緣:聚苯硫醚(PPS)工作溫度:-65°C ~ 150°C讀數(shù):雙
讀取內(nèi)存操作必需發(fā)送一條AcTIvate 命令,后面跟著一條Read 命令。內(nèi)存在時延后以每個時鐘周期兩個內(nèi)存位置的數(shù)據(jù)速率應答由兩個、四個或八個內(nèi)存位置組成的突發(fā)。
DDR SDRAM中多個內(nèi)存條提高了訪問靈活性,改善了性能。
在內(nèi)存條上的Read 和Write 操作結(jié)束時,Precharge 命令關(guān)閉行,內(nèi)存條對Activate 命令準備就緒,可以打開一個新行。DDR SDRAM要求的功率與打開行的內(nèi)存條數(shù)量有關(guān)。打開的行越多,要求的功率越高,行尺寸越大,要求的功率越高。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
通過利用電容充放電的特性來存儲數(shù)據(jù),而是利用設(shè)置晶體管的狀態(tài)來決定邏輯狀態(tài)——同CPU中的邏輯狀態(tài)一樣。讀取操作對于SRAM不是破壞性的,所以SRAM不存在刷新的問題。
RFID 是一種無線系統(tǒng),基礎(chǔ)的 RFID 系統(tǒng)由電子標簽、閱讀器和天線三部分組成,當當電子標簽進入磁場后,如果接收到閱讀器發(fā)出的特殊射頻信號,就能憑借感應電流所獲得的能量,發(fā)送出存儲在芯片中的信息或者主動發(fā)送某一頻率的信號。閱讀器讀取信息并解碼后,送至中央信息系統(tǒng)進行有關(guān)數(shù)據(jù)處理。
標準包裝:1類別:連接器,互連器件家庭:卡邊緣連接器 - 邊緣板連接器系列:-包裝:托盤卡類型:非指定 - 雙邊公母:母頭位/盤/排數(shù):43針腳數(shù):86卡厚度:0.031"(0.79mm)排數(shù):2間距:0.100"(2.54mm)特性:-安裝類型:通孔端接:焊接觸頭材料:銅鈹觸頭鍍層:金觸頭鍍層厚度:30μin(0.76μm)觸頭類型:全波紋管顏色:綠法蘭特性:側(cè)面安裝開口,無螺紋,0.125"(3.18mm)直徑材料 - 絕緣:聚苯硫醚(PPS)工作溫度:-65°C ~ 150°C讀數(shù):雙
讀取內(nèi)存操作必需發(fā)送一條AcTIvate 命令,后面跟著一條Read 命令。內(nèi)存在時延后以每個時鐘周期兩個內(nèi)存位置的數(shù)據(jù)速率應答由兩個、四個或八個內(nèi)存位置組成的突發(fā)。
DDR SDRAM中多個內(nèi)存條提高了訪問靈活性,改善了性能。
在內(nèi)存條上的Read 和Write 操作結(jié)束時,Precharge 命令關(guān)閉行,內(nèi)存條對Activate 命令準備就緒,可以打開一個新行。DDR SDRAM要求的功率與打開行的內(nèi)存條數(shù)量有關(guān)。打開的行越多,要求的功率越高,行尺寸越大,要求的功率越高。
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