HPA TrenchMOS 系列證明了飛利浦在用于汽車的Trench技術(shù)方面的創(chuàng)新和領(lǐng)先地位。這是對飛利浦的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品系列進(jìn)行的重大擴(kuò)展，將使我們能夠同時滿足當(dāng)前和未來對更高功率的汽車應(yīng)用的技術(shù)要求。

在有了這套新系列之后，我們迅速地推出了多種合格的產(chǎn)品。因為我們認(rèn)識到，隨著技術(shù)和成本壓力不斷提高，我們的客戶需要優(yōu)化設(shè)計。

這套新系列可將特定電阻的性能至少提高25%，大幅度降低標(biāo)準(zhǔn)分立功率封裝內(nèi)的損耗。

系列:N-Channel 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:1.3 mm 商標(biāo):Infineon / IR 產(chǎn)品類型:MOSFET 工廠包裝數(shù)量:3000 子類別:MOSFETs 單位重量:1.400 g

制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-251-3 晶體管極性:P-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:100 V Id-連續(xù)漏極電流:13 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:205 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V Qg-柵極電荷:58 nC 最小工作溫度:- 55 C

目前TO220器件的導(dǎo)通電阻值最低為2.3 mOhm，最大為2.7 mOhm。亞微米溝寬可減少柵-漏電容，降低柵電荷，從而提高開關(guān)速度。對于高電流應(yīng)用越來越重要的耐用性，也得到大大改進(jìn)。更多的新產(chǎn)品將在2002年內(nèi)推出，包括DPAK器件，其電阻值低至7 mOhm。尖端技術(shù)MOSFET 新系列。

憑借基于高性能奔騰4處理器的系統(tǒng)，教育工作者和家長可以確信學(xué)生將可充分利用當(dāng)今最先進(jìn)的技術(shù)，并為將來的軟件創(chuàng)新及應(yīng)用程序作好準(zhǔn)備。

2.8 GHz奔騰4處理器可提供全球最高的Microsoft Windows*臺式機(jī)處理器性能.

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