2MHz開關(guān)控制器同步電壓轉(zhuǎn)換2A至25A電流
發(fā)布時間:2021/1/4 12:45:41 訪問次數(shù):396
全新的高性能同步開關(guān)穩(wěn)壓控制器。這兩款芯片的輸出電壓極低,可支持最新的 FPGA、微控制器以及數(shù)字信號處理器 (DSP) 核心。
這兩款新推出的 2MHz 開關(guān)控制器可以采用 5 伏 (V) 至 16 伏供電,所提供的穩(wěn)壓輸出可低至 0.6 伏。因此可為需要 2A 至 25A 電流支持的機頂盒(set-top-box)、ADSL 及有線調(diào)制解調(diào)器、硬盤驅(qū)動器及大型液晶顯示器等應用方案提供同步電壓轉(zhuǎn)換,最適合為有線供電系統(tǒng)提供一般性的降壓轉(zhuǎn)換功能。
輸出電流:350 mA 電源電壓-最小:10 V 電源電壓-最大:20 V 上升時間:220 ns 下降時間:80 ns 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 特點:Independent 高度:1.5 mm 長度:5 mm 技術(shù):Si 寬度:4 mm
商標:Infineon / IR 邏輯類型:CMOS, TTL 傳播延遲—最大值:300 ns 最大關(guān)閉延遲時間:280 ns 最大開啟延遲時間:300 ns 濕度敏感性:Yes Pd-功率耗散:625 mW 產(chǎn)品類型:Gate Drivers 工廠包裝數(shù)量:2500 子類別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:540 mg
兩種BGA封裝的雙N溝和雙P溝的20V MOSFET,其物理特性和電性能都適合用在鋰離子電池盒保護應用。四種器件FDZ2551N, FDZ2553N, FDZ2552P 和FDZ2554P都封在4x2.5mm表面安裝的OSFET BGA封裝,其漏極是共用的。
BGA封裝具有小的占位面積(10平方mm),很小的體積(最大安裝高度0.8mm),極好的導通電阻和杰出的熱性能,這進一步又減少散熱片的尺寸。
這種雙N溝和雙P溝的20V MOSFET還可用在計算機/EDP。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
全新的高性能同步開關(guān)穩(wěn)壓控制器。這兩款芯片的輸出電壓極低,可支持最新的 FPGA、微控制器以及數(shù)字信號處理器 (DSP) 核心。
這兩款新推出的 2MHz 開關(guān)控制器可以采用 5 伏 (V) 至 16 伏供電,所提供的穩(wěn)壓輸出可低至 0.6 伏。因此可為需要 2A 至 25A 電流支持的機頂盒(set-top-box)、ADSL 及有線調(diào)制解調(diào)器、硬盤驅(qū)動器及大型液晶顯示器等應用方案提供同步電壓轉(zhuǎn)換,最適合為有線供電系統(tǒng)提供一般性的降壓轉(zhuǎn)換功能。
輸出電流:350 mA 電源電壓-最小:10 V 電源電壓-最大:20 V 上升時間:220 ns 下降時間:80 ns 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 特點:Independent 高度:1.5 mm 長度:5 mm 技術(shù):Si 寬度:4 mm
商標:Infineon / IR 邏輯類型:CMOS, TTL 傳播延遲—最大值:300 ns 最大關(guān)閉延遲時間:280 ns 最大開啟延遲時間:300 ns 濕度敏感性:Yes Pd-功率耗散:625 mW 產(chǎn)品類型:Gate Drivers 工廠包裝數(shù)量:2500 子類別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:540 mg
兩種BGA封裝的雙N溝和雙P溝的20V MOSFET,其物理特性和電性能都適合用在鋰離子電池盒保護應用。四種器件FDZ2551N, FDZ2553N, FDZ2552P 和FDZ2554P都封在4x2.5mm表面安裝的OSFET BGA封裝,其漏極是共用的。
BGA封裝具有小的占位面積(10平方mm),很小的體積(最大安裝高度0.8mm),極好的導通電阻和杰出的熱性能,這進一步又減少散熱片的尺寸。
這種雙N溝和雙P溝的20V MOSFET還可用在計算機/EDP。
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