RF設備和信號處理算法之間的交互MPC5777M-416DS適配器特性
發(fā)布時間:2020/12/29 19:16:12 訪問次數(shù):457
新型電路包絡分析解算器,可加速系統(tǒng)仿真和縮短模型加載時間;SimRF還擴展了用于系統(tǒng)級 RF 前端仿真的組件庫。這些增強功能可幫助雷達和通信系統(tǒng)設計人員以更好的精度和性能對日益復雜的場景進行建模。
無線和雷達通訊變得日益復雜,設計人員需要了解 RF 設備和信號處理算法之間的交互以及它們對整體系統(tǒng)行為的影響。通過 MATLAB 和 Simulink 中的這些這些新增功能,系統(tǒng)設計師們可以避免去使用和維護很多不同的工具和舊的代碼庫。
MPC57XXXMB主板功能
12V直流電源輸入桶式連接器(含電源)
兩個帶跳線的CAN通道啟用
帶跳線的SCI通道使能 - 收發(fā)器和DB-9連接器
一個帶跳線的LIN通道和Molex連接器
兩個帶跳線的FlexRay通道啟用
兩個通道與收發(fā)器和DB-9連接器
以太網(wǎng)PHY和RJ45連接器
四個用戶按鈕開關
四個用戶LED
用于模擬電壓發(fā)生的電位器
0.10引腳頭,用于訪問所有I / O
具有5V和GND導軌的2.5“x 2.5”原型設計區(qū)域
MPC5777M-416DS適配器特性
3nm工藝的增強版,該工藝將被命名為“3nm Plus”,首發(fā)客戶依然是蘋果。按蘋果一年更新一代芯片的速度,屆時使用3nm Plus工藝的將是“A17”芯片。
3nm Plus工藝,從以往的升級可以推測,預計將比3nm擁有更多的晶體管密度以及更低功耗。參照臺積電此前公布的3nm工藝,相比較5nm工藝,晶體管密度提升了15%,減少25~30%的功耗,并且?guī)?0~15%的性能提升。
臺積電在2nm的工藝上也要領先于其他廠商,目前已取得了重大突破,有望在2023年進行試產(chǎn),2024年開始量產(chǎn)。如果真的如此,不知轉投三星懷抱的高通又該作何感想。
(素材來源:eccn.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)
新型電路包絡分析解算器,可加速系統(tǒng)仿真和縮短模型加載時間;SimRF還擴展了用于系統(tǒng)級 RF 前端仿真的組件庫。這些增強功能可幫助雷達和通信系統(tǒng)設計人員以更好的精度和性能對日益復雜的場景進行建模。
無線和雷達通訊變得日益復雜,設計人員需要了解 RF 設備和信號處理算法之間的交互以及它們對整體系統(tǒng)行為的影響。通過 MATLAB 和 Simulink 中的這些這些新增功能,系統(tǒng)設計師們可以避免去使用和維護很多不同的工具和舊的代碼庫。
MPC57XXXMB主板功能
12V直流電源輸入桶式連接器(含電源)
兩個帶跳線的CAN通道啟用
帶跳線的SCI通道使能 - 收發(fā)器和DB-9連接器
一個帶跳線的LIN通道和Molex連接器
兩個帶跳線的FlexRay通道啟用
兩個通道與收發(fā)器和DB-9連接器
以太網(wǎng)PHY和RJ45連接器
四個用戶按鈕開關
四個用戶LED
用于模擬電壓發(fā)生的電位器
0.10引腳頭,用于訪問所有I / O
具有5V和GND導軌的2.5“x 2.5”原型設計區(qū)域
MPC5777M-416DS適配器特性
3nm工藝的增強版,該工藝將被命名為“3nm Plus”,首發(fā)客戶依然是蘋果。按蘋果一年更新一代芯片的速度,屆時使用3nm Plus工藝的將是“A17”芯片。
3nm Plus工藝,從以往的升級可以推測,預計將比3nm擁有更多的晶體管密度以及更低功耗。參照臺積電此前公布的3nm工藝,相比較5nm工藝,晶體管密度提升了15%,減少25~30%的功耗,并且?guī)?0~15%的性能提升。
臺積電在2nm的工藝上也要領先于其他廠商,目前已取得了重大突破,有望在2023年進行試產(chǎn),2024年開始量產(chǎn)。如果真的如此,不知轉投三星懷抱的高通又該作何感想。
(素材來源:eccn.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)