低功率微處理器芯片組及工作信號(hào)電平1.8 V
發(fā)布時(shí)間:2021/1/5 17:51:36 訪問次數(shù):321
收發(fā)器還可以用于當(dāng)前低功率微處理器芯片組及工作信號(hào)電平為1.8 V以上的ASIC，并可以用于使用單塊鋰電池供電的手機(jī)產(chǎn)品。一般來說，收發(fā)器在關(guān)斷模式下的輸入電流僅為10 nA，在待機(jī)模式下的功耗僅為300 uA。
HSDL-3210具有1.15 Mb/s的中等紅外(MIR)數(shù)據(jù)速率，滿足IrDA 20 cm - 30 cm低功率鏈路規(guī)范的規(guī)定，可在短距離內(nèi)傳輸紅外金融信息(IrFM)及其它數(shù)據(jù)。它還實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最小的體積，其規(guī)格為2.5mm(高)x 8mm(寬)x3mm(厚)。這款收發(fā)器還符合IEC 60825-1一級(jí)人眼安全標(biāo)準(zhǔn)。
制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:500 V Id-連續(xù)漏極電流:18.1 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:280 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5 V Qg-柵極電荷:32.6 nC 最小工作溫度:- 40 C
最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:30.4 W 通道模式:Enhancement
獨(dú)特的實(shí)時(shí)驅(qū)動(dòng)程序（RTD）集成了AUTOSAR與專有軟件架構(gòu)的底層驅(qū)動(dòng)程序。因此，一級(jí)供應(yīng)商和汽車制造商能夠重復(fù)使用軟件平臺(tái)，無需維護(hù)不同架構(gòu)。實(shí)時(shí)驅(qū)動(dòng)為量產(chǎn)級(jí)程序，并遵守ISO 26262標(biāo)準(zhǔn)，這可以縮短客戶代碼驗(yàn)證所需的時(shí)間。
首批器件計(jì)劃于2021年第四季度投入生產(chǎn)。
(素材來源：chinaaet和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）
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收發(fā)器還可以用于當(dāng)前低功率微處理器芯片組及工作信號(hào)電平為1.8 V以上的ASIC，并可以用于使用單塊鋰電池供電的手機(jī)產(chǎn)品。一般來說，收發(fā)器在關(guān)斷模式下的輸入電流僅為10 nA，在待機(jī)模式下的功耗僅為300 uA。
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制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:500 V Id-連續(xù)漏極電流:18.1 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:280 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5 V Qg-柵極電荷:32.6 nC 最小工作溫度:- 40 C
最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:30.4 W 通道模式:Enhancement
獨(dú)特的實(shí)時(shí)驅(qū)動(dòng)程序（RTD）集成了AUTOSAR與專有軟件架構(gòu)的底層驅(qū)動(dòng)程序。因此，一級(jí)供應(yīng)商和汽車制造商能夠重復(fù)使用軟件平臺(tái)，無需維護(hù)不同架構(gòu)。實(shí)時(shí)驅(qū)動(dòng)為量產(chǎn)級(jí)程序，并遵守ISO 26262標(biāo)準(zhǔn)，這可以縮短客戶代碼驗(yàn)證所需的時(shí)間。
首批器件計(jì)劃于2021年第四季度投入生產(chǎn)。
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