觸摸屏接口和音頻模塊8mmx8mm的81引腳LFBGA封裝
發(fā)布時間:2020/12/29 1:06:34 訪問次數(shù):648
便攜和無線電子產(chǎn)品制造商必須尋求更加經(jīng)濟(jì)高效的方法,生產(chǎn)個性化的多功能產(chǎn)品,例如智能手機和無線PDA。為達(dá)到這個目標(biāo),這些制造商希望元件供應(yīng)商能幫助其節(jié)省寶貴的電路板空間、延長電池壽命以及降低成本。
NCP4100將PDA系統(tǒng)兩個主要的高級功能--觸摸屏接口和完整音頻模塊,集成在面積僅為8 mmx8 mm的81引腳LFBGA封裝內(nèi)。由于絕大多數(shù)PDA的工作時間是處于待機狀態(tài),所以NCP4100特別設(shè)計成延長產(chǎn)品運行時間。具有可編程功能的部件有電池充電器、一個全特性音頻部件、兩個同步降壓型穩(wěn)壓器、兩個LDO、一個復(fù)位電路和一個欠壓鎖定。
制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:門驅(qū)動器 RoHS: 詳細(xì)信息 產(chǎn)品:Half-Bridge Drivers 類型:High Side, Low Side 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 激勵器數(shù)量:2 Driver 輸出端數(shù)量:2 Output 輸出電流:130 mA 電源電壓-最小:10 V 電源電壓-最大:20 V 上升時間:170 ns 下降時間:90 ns 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 特點:Synchronous 高度:1.5 mm 長度:5 mm 技術(shù):Si 寬度:4 mm 商標(biāo):Infineon / IR 邏輯類型:CMOS, TTL 傳播延遲—最大值:820 ns 最大關(guān)閉延遲時間:150 ns 最大開啟延遲時間:680 ns 濕度敏感性:Yes 工作電源電流:270 uA Pd-功率耗散:625 mW 產(chǎn)品類型:Gate Drivers 工廠包裝數(shù)量:2500 子類別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:540 mg
一個 BBSRAM 包括三個主要組件:標(biāo)準(zhǔn)的 SRAM、電壓傳感器和開關(guān)芯片,以及鋰電池。每個 BBSRAM 模塊都具有一個自帶的鋰電池和控制電路(用于監(jiān)控 VCC,以免發(fā)生超出容差范圍)。如果發(fā)生這種情況下鋰電池會自動打開,并且寫保護(hù)功能會被無條件使能,以避免破壞數(shù)據(jù)?蓤(zhí)行的寫周期次數(shù)不受限制,并且不需要支持微處理器接口的其他電路。
NV-SRAM 技術(shù)就是將 SRAM 和 EEPROM 技術(shù)結(jié)合在同一個芯片上。每一個 SRAM 單元都包含一個非易失性 EEPROM 元件。在 SRAM 模式下,存儲器作為普通的靜態(tài) RAM 使用,其操作速率則為 SRAM 速度。
便攜和無線電子產(chǎn)品制造商必須尋求更加經(jīng)濟(jì)高效的方法,生產(chǎn)個性化的多功能產(chǎn)品,例如智能手機和無線PDA。為達(dá)到這個目標(biāo),這些制造商希望元件供應(yīng)商能幫助其節(jié)省寶貴的電路板空間、延長電池壽命以及降低成本。
NCP4100將PDA系統(tǒng)兩個主要的高級功能--觸摸屏接口和完整音頻模塊,集成在面積僅為8 mmx8 mm的81引腳LFBGA封裝內(nèi)。由于絕大多數(shù)PDA的工作時間是處于待機狀態(tài),所以NCP4100特別設(shè)計成延長產(chǎn)品運行時間。具有可編程功能的部件有電池充電器、一個全特性音頻部件、兩個同步降壓型穩(wěn)壓器、兩個LDO、一個復(fù)位電路和一個欠壓鎖定。
制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:門驅(qū)動器 RoHS: 詳細(xì)信息 產(chǎn)品:Half-Bridge Drivers 類型:High Side, Low Side 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 激勵器數(shù)量:2 Driver 輸出端數(shù)量:2 Output 輸出電流:130 mA 電源電壓-最小:10 V 電源電壓-最大:20 V 上升時間:170 ns 下降時間:90 ns 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 特點:Synchronous 高度:1.5 mm 長度:5 mm 技術(shù):Si 寬度:4 mm 商標(biāo):Infineon / IR 邏輯類型:CMOS, TTL 傳播延遲—最大值:820 ns 最大關(guān)閉延遲時間:150 ns 最大開啟延遲時間:680 ns 濕度敏感性:Yes 工作電源電流:270 uA Pd-功率耗散:625 mW 產(chǎn)品類型:Gate Drivers 工廠包裝數(shù)量:2500 子類別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:540 mg
一個 BBSRAM 包括三個主要組件:標(biāo)準(zhǔn)的 SRAM、電壓傳感器和開關(guān)芯片,以及鋰電池。每個 BBSRAM 模塊都具有一個自帶的鋰電池和控制電路(用于監(jiān)控 VCC,以免發(fā)生超出容差范圍)。如果發(fā)生這種情況下鋰電池會自動打開,并且寫保護(hù)功能會被無條件使能,以避免破壞數(shù)據(jù)?蓤(zhí)行的寫周期次數(shù)不受限制,并且不需要支持微處理器接口的其他電路。
NV-SRAM 技術(shù)就是將 SRAM 和 EEPROM 技術(shù)結(jié)合在同一個芯片上。每一個 SRAM 單元都包含一個非易失性 EEPROM 元件。在 SRAM 模式下,存儲器作為普通的靜態(tài) RAM 使用,其操作速率則為 SRAM 速度。
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