短距離光轉(zhuǎn)發(fā)器作為OC-192串行解決方案
發(fā)布時間:2021/1/6 18:45:31 訪問次數(shù):720
低功耗SONET OC-192收發(fā)器,用作短距離光轉(zhuǎn)發(fā)器。新的TI解決方案為單個器件提供四個2.5Gbps OC-48通道,使通信設(shè)備制造商能構(gòu)成10Gbps OC-192轉(zhuǎn)發(fā)器,作為OC-192串行解決方案的一部分成本。
SLK2504 SONET/SDH收發(fā)器把16通道622Mbps數(shù)據(jù)合并成四個獨(dú)立的OC-48通道,兩個冗余的OC-48通道,或一個OC-192通道。和光互聯(lián)論壇(OIF)SFI-4接口以及VSR4-03.0光標(biāo)準(zhǔn)兼容,該器件用0.18微米CMOS工藝,以達(dá)到成本效率的集成度和低功耗。
制造商: Texas Instruments
產(chǎn)品種類: 電源開關(guān) IC - 配電
RoHS: 詳細(xì)信息
類型: Low Side
輸出端數(shù)量: 1 Output
輸出電流: 1.5 A
電流限制: 1.2 A
導(dǎo)通電阻—最大值: 85 mOhms
工作電源電壓: 2.5 V to 6.5 V
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-6
系列: TPS2552
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
產(chǎn)品: USB Current Limited Power Switches
商標(biāo): Texas Instruments
產(chǎn)品類型: Power Switch ICs - Power Distribution
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: Switch ICs
電源電壓-最大: 6.5 V
電源電壓-最小: 2.5 V
零件號別名: HPA00714DBVR
單位重量: 36 mg

AG-AND閃存單元采用新穎的輔助柵區(qū)絕緣方法,以得到比傳統(tǒng)淺槽絕緣(SGI)方法的更高的密度。這使得1G位的器件比用0.18微米工藝所生產(chǎn)的512M位的要小。
閃存的排列可通過熱電子注入的方法進(jìn)行編程,以得到高的寫入速度。從源區(qū)注入熱電子能改善浮置柵注入效率,進(jìn)行低電流快速并行寫入。
日立公司計(jì)劃采用多層單元技術(shù)來開發(fā)1G位閃存和其它器件的閃存控制器。
低功耗SONET OC-192收發(fā)器,用作短距離光轉(zhuǎn)發(fā)器。新的TI解決方案為單個器件提供四個2.5Gbps OC-48通道,使通信設(shè)備制造商能構(gòu)成10Gbps OC-192轉(zhuǎn)發(fā)器,作為OC-192串行解決方案的一部分成本。
SLK2504 SONET/SDH收發(fā)器把16通道622Mbps數(shù)據(jù)合并成四個獨(dú)立的OC-48通道,兩個冗余的OC-48通道,或一個OC-192通道。和光互聯(lián)論壇(OIF)SFI-4接口以及VSR4-03.0光標(biāo)準(zhǔn)兼容,該器件用0.18微米CMOS工藝,以達(dá)到成本效率的集成度和低功耗。
制造商: Texas Instruments
產(chǎn)品種類: 電源開關(guān) IC - 配電
RoHS: 詳細(xì)信息
類型: Low Side
輸出端數(shù)量: 1 Output
輸出電流: 1.5 A
電流限制: 1.2 A
導(dǎo)通電阻—最大值: 85 mOhms
工作電源電壓: 2.5 V to 6.5 V
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-6
系列: TPS2552
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
產(chǎn)品: USB Current Limited Power Switches
商標(biāo): Texas Instruments
產(chǎn)品類型: Power Switch ICs - Power Distribution
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: Switch ICs
電源電壓-最大: 6.5 V
電源電壓-最小: 2.5 V
零件號別名: HPA00714DBVR
單位重量: 36 mg

AG-AND閃存單元采用新穎的輔助柵區(qū)絕緣方法,以得到比傳統(tǒng)淺槽絕緣(SGI)方法的更高的密度。這使得1G位的器件比用0.18微米工藝所生產(chǎn)的512M位的要小。
閃存的排列可通過熱電子注入的方法進(jìn)行編程,以得到高的寫入速度。從源區(qū)注入熱電子能改善浮置柵注入效率,進(jìn)行低電流快速并行寫入。
日立公司計(jì)劃采用多層單元技術(shù)來開發(fā)1G位閃存和其它器件的閃存控制器。
熱門點(diǎn)擊
- 多相CPU功率控制器滿足Intel VRD/
- 驍龍480提升了串流和高通aptX͐
- 640kB嵌入閃存和48KB RAM數(shù)據(jù)存儲
- ACOT控制模式在較低輸出電壓下的性能
- 帶集成檢測器大功放ISL3985的輸出功率2
- 帶寬和4Gbytes存儲器低傳輸延遲變壓器功
- PDA使用的可拆卸相機(jī)及數(shù)碼靜止及雙模相機(jī)
- I2CTM總線控制PLL頻率合成器差分輸出7
- RF混頻器-振蕩器MO耦合到差分IF放大器
- VSC9118支持OC-48和OC-192數(shù)
推薦技術(shù)資料
- 100A全集成電源模塊R
- Teseo-VIC6A GNSS車用精準(zhǔn)定位
- 高效先進(jìn)封裝工藝
- 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (Analog-to-Digit
- 集成模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)
- 128 通道20 位電流數(shù)字轉(zhuǎn)換器̴
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