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短距離光轉(zhuǎn)發(fā)器作為OC-192串行解決方案

發(fā)布時間:2021/1/6 18:45:31 訪問次數(shù):720

低功耗SONET OC-192收發(fā)器,用作短距離光轉(zhuǎn)發(fā)器。新的TI解決方案為單個器件提供四個2.5Gbps OC-48通道,使通信設(shè)備制造商能構(gòu)成10Gbps OC-192轉(zhuǎn)發(fā)器,作為OC-192串行解決方案的一部分成本。

SLK2504 SONET/SDH收發(fā)器把16通道622Mbps數(shù)據(jù)合并成四個獨(dú)立的OC-48通道,兩個冗余的OC-48通道,或一個OC-192通道。和光互聯(lián)論壇(OIF)SFI-4接口以及VSR4-03.0光標(biāo)準(zhǔn)兼容,該器件用0.18微米CMOS工藝,以達(dá)到成本效率的集成度和低功耗。

制造商: Texas Instruments

產(chǎn)品種類: 電源開關(guān) IC - 配電

RoHS: 詳細(xì)信息

類型: Low Side

輸出端數(shù)量: 1 Output

輸出電流: 1.5 A

電流限制: 1.2 A

導(dǎo)通電阻—最大值: 85 mOhms

工作電源電壓: 2.5 V to 6.5 V

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOT-23-6

系列: TPS2552

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

產(chǎn)品: USB Current Limited Power Switches

商標(biāo): Texas Instruments

產(chǎn)品類型: Power Switch ICs - Power Distribution

工廠包裝數(shù)量: 3000

子類別: Switch ICs

電源電壓-最大: 6.5 V

電源電壓-最小: 2.5 V

零件號別名: HPA00714DBVR

單位重量: 36 mg

AG-AND閃存單元采用新穎的輔助柵區(qū)絕緣方法,以得到比傳統(tǒng)淺槽絕緣(SGI)方法的更高的密度。這使得1G位的器件比用0.18微米工藝所生產(chǎn)的512M位的要小。

閃存的排列可通過熱電子注入的方法進(jìn)行編程,以得到高的寫入速度。從源區(qū)注入熱電子能改善浮置柵注入效率,進(jìn)行低電流快速并行寫入。

日立公司計(jì)劃采用多層單元技術(shù)來開發(fā)1G位閃存和其它器件的閃存控制器。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

低功耗SONET OC-192收發(fā)器,用作短距離光轉(zhuǎn)發(fā)器。新的TI解決方案為單個器件提供四個2.5Gbps OC-48通道,使通信設(shè)備制造商能構(gòu)成10Gbps OC-192轉(zhuǎn)發(fā)器,作為OC-192串行解決方案的一部分成本。

SLK2504 SONET/SDH收發(fā)器把16通道622Mbps數(shù)據(jù)合并成四個獨(dú)立的OC-48通道,兩個冗余的OC-48通道,或一個OC-192通道。和光互聯(lián)論壇(OIF)SFI-4接口以及VSR4-03.0光標(biāo)準(zhǔn)兼容,該器件用0.18微米CMOS工藝,以達(dá)到成本效率的集成度和低功耗。

制造商: Texas Instruments

產(chǎn)品種類: 電源開關(guān) IC - 配電

RoHS: 詳細(xì)信息

類型: Low Side

輸出端數(shù)量: 1 Output

輸出電流: 1.5 A

電流限制: 1.2 A

導(dǎo)通電阻—最大值: 85 mOhms

工作電源電壓: 2.5 V to 6.5 V

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOT-23-6

系列: TPS2552

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

產(chǎn)品: USB Current Limited Power Switches

商標(biāo): Texas Instruments

產(chǎn)品類型: Power Switch ICs - Power Distribution

工廠包裝數(shù)量: 3000

子類別: Switch ICs

電源電壓-最大: 6.5 V

電源電壓-最小: 2.5 V

零件號別名: HPA00714DBVR

單位重量: 36 mg

AG-AND閃存單元采用新穎的輔助柵區(qū)絕緣方法,以得到比傳統(tǒng)淺槽絕緣(SGI)方法的更高的密度。這使得1G位的器件比用0.18微米工藝所生產(chǎn)的512M位的要小。

閃存的排列可通過熱電子注入的方法進(jìn)行編程,以得到高的寫入速度。從源區(qū)注入熱電子能改善浮置柵注入效率,進(jìn)行低電流快速并行寫入。

日立公司計(jì)劃采用多層單元技術(shù)來開發(fā)1G位閃存和其它器件的閃存控制器。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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