對于外部的DDR　SDRAM，VSC9118/VSC9115提供無粘貼接口，支持不同的路由應(yīng)用，同時也很容易和冗余TDM交換設(shè)備連接。VSC9118支持OC-48和OC-192數(shù)據(jù)速率，有四個運行的和受保護的2.488Gbps或622Mbps背板接口，ＶSC9115則支持單一的OC-48數(shù)據(jù)速率，有單個運行的和受保護的2.488Gbps或622Mbps背板接口。

Vitesse公司提供這些器件的成套支持工具，包括有評估板，ＡPI器件驅(qū)動器，BSDL文件，IBIS模塊，應(yīng)用手冊和應(yīng)用支持。兩種器件是728 TBGA封裝。

制造商:Micron Technology產(chǎn)品種類:NOR閃存RoHS: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:WDFN-8系列:存儲容量:128 Mbit電源電壓-最小:2.7 V電源電壓-最大:3.6 V有源讀取電流（最大值）:35 mA接口類型:SPI最大時鐘頻率:133 MHz組織:16 M x 8數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit定時類型:Synchronous最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C封裝:Tray速度:133 MHz商標(biāo):Micron電源電流—最大值:35 mA濕度敏感性:Yes產(chǎn)品類型:NOR Flash1920子類別:Memory & Data Storage單位重量:4 g

一種新的封裝TESQ，比標(biāo)準(zhǔn)的4引腳SOT-343表面安裝封裝還小34%，使用在手機，無線PDA和無線局域網(wǎng)(WLAN)的低噪音放大器(LNA)和壓控振蕩器有更高的增益。

東芝的低噪音MT4S100T和高增益MT4S101T晶體管的TESQ封裝，尺寸只有1.2mm x 1.2mmx0.52mm。MT4S101T很理想地用在WLAN中5.2GHz LNA。

鍺硅技術(shù)由于結(jié)合了硅和鍺的電特性，因而有很低的噪音和高增益。這類鍺硅器件有低功耗的特性，很適合用在移動和無線電話以及PDA。