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雙極晶體管HBT射頻RF低壓降線性調(diào)整器

發(fā)布時(shí)間:2021/1/9 13:09:24 訪問次數(shù):933

LX5503是用先進(jìn)的銦鎵磷(InGaP)/砷化鎵(GaAs)異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)射頻(RF)IC制造工藝來制造的,它使用單一3.3V電源,有源偏置以改善熱性能,I/O預(yù)匹配,占位面積3-mm2和0.9mm高的微引線封裝。

Au1100處理器具有高性能、低功耗,高集成度特性,適用于網(wǎng)絡(luò)無線終端、遠(yuǎn)程信息處理、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)等非PC的無線互聯(lián)設(shè)備。

AMD 魔力Au1100處理器采用399腳的PBGA封裝。

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 商標(biāo)名: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 系列: 商標(biāo):STMicroelectronics 產(chǎn)品類型:MOSFET 1800 子類別:MOSFETs 單位重量:76 mg

通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:60 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:16 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V Qg-柵極電荷:54 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:110 W

MAX1819,是500毫安低壓降線性調(diào)整器,其工作電壓為2.5伏到5伏。

一個(gè)內(nèi)部的PMOS傳輸三級管允許像125微安那樣低的電流來維持負(fù)載的獨(dú)立性,因此延長了便攜設(shè)備如PDA,手機(jī),無繩電話,數(shù)碼照相機(jī),或筆記本電腦中的電池使用時(shí)間.當(dāng)邏輯控制關(guān)閉時(shí),這個(gè)電流甚至可以減小到0.1微安。

MAX1819的特點(diǎn)是有一個(gè)低電平作用的漏極開路重置輸出來顯示輸出異常時(shí)短路保護(hù)和過熱保護(hù).器件是6引腳封裝,工作溫度是-40攝氏度到85攝氏度.


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

LX5503是用先進(jìn)的銦鎵磷(InGaP)/砷化鎵(GaAs)異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)射頻(RF)IC制造工藝來制造的,它使用單一3.3V電源,有源偏置以改善熱性能,I/O預(yù)匹配,占位面積3-mm2和0.9mm高的微引線封裝。

Au1100處理器具有高性能、低功耗,高集成度特性,適用于網(wǎng)絡(luò)無線終端、遠(yuǎn)程信息處理、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)等非PC的無線互聯(lián)設(shè)備。

AMD 魔力Au1100處理器采用399腳的PBGA封裝。

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 商標(biāo)名: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 系列: 商標(biāo):STMicroelectronics 產(chǎn)品類型:MOSFET 1800 子類別:MOSFETs 單位重量:76 mg

通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:60 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:16 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V Qg-柵極電荷:54 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:110 W

MAX1819,是500毫安低壓降線性調(diào)整器,其工作電壓為2.5伏到5伏。

一個(gè)內(nèi)部的PMOS傳輸三級管允許像125微安那樣低的電流來維持負(fù)載的獨(dú)立性,因此延長了便攜設(shè)備如PDA,手機(jī),無繩電話,數(shù)碼照相機(jī),或筆記本電腦中的電池使用時(shí)間.當(dāng)邏輯控制關(guān)閉時(shí),這個(gè)電流甚至可以減小到0.1微安。

MAX1819的特點(diǎn)是有一個(gè)低電平作用的漏極開路重置輸出來顯示輸出異常時(shí)短路保護(hù)和過熱保護(hù).器件是6引腳封裝,工作溫度是-40攝氏度到85攝氏度.


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