門(mén)驅(qū)動(dòng)器和MOSFET之間配合完善，使延遲時(shí)間達(dá)到最小。

NIS3001面積僅為10.5 mm x 10.5 mm。與單個(gè)SO-8驅(qū)動(dòng)器配合兩個(gè)D2PAK或四個(gè)DPAK MOSFET的分立器件方法相比，它大幅縮小電路板空間占用達(dá)50%。采用分立器件方法需占用0.58平方英寸電路板空間，而NIS3001僅占用0.17平方英寸。

電流密度達(dá)每平方英寸10安培的先進(jìn)微處理器電源。采用分立器件通常僅能獲得每平方英寸5安培的電流密度。這一領(lǐng)先技術(shù)也有助于大大節(jié)省電源在日漸縮小的電路板的占用空間。

TIDA-010026該參考設(shè)計(jì)演示了EnDat 2.2編碼器的強(qiáng)大接口。

顯示了EMC抗擾性，尤其是對(duì)快速瞬變（例如逆變器開(kāi)關(guān)噪聲）抗擾性。

編碼器電源電壓是可配置的，并且集成了短路保護(hù)功能，以防止由于電纜短路或接線錯(cuò)誤而造成損壞，

并提供診斷反饋以檢測(cè)故障。邏輯接口支持3.3V至1.8V I / O。

該設(shè)計(jì)與TI LaunchPad™開(kāi)發(fā)套件兼容，可通過(guò)C2000™MCU輕松評(píng)估EnDat2.2。

此設(shè)計(jì)已通過(guò)多個(gè)EnDat 2.2編碼器進(jìn)行了長(zhǎng)達(dá)100米電纜的測(cè)試。

窗口結(jié)構(gòu)避免了COD損耗，是因?yàn)樗晃蛰敵龉夤β�。這種結(jié)構(gòu)也把激光束的縱橫比降低到小于2.5，使激光二極管和光纖的耦合更有效。ML861E5S泵激光二極管提供優(yōu)異的500mW工作輸出功率，反射率不到1%。

ML8627S泵激光二極管采用涂層在很寬的溫度范圍內(nèi)(5-85度C)來(lái)穩(wěn)定波長(zhǎng)。這種工藝比起傳統(tǒng)的980nm泵激光二極管，其波長(zhǎng)變化減小20%。涂層還有另外的好處，它比用在傳統(tǒng)的長(zhǎng)距離和海底電纜網(wǎng)絡(luò)的泵激光二極管中的光柵要便宜得多。

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