編碼器電源保護(hù)的250mA標(biāo)稱輸出電流
發(fā)布時(shí)間:2021/1/11 12:34:26 訪問次數(shù):511
模擬驅(qū)動(dòng)器封裝與分立開關(guān)共同封裝,這是直流/直流轉(zhuǎn)換器的創(chuàng)舉。這種封裝套封裝的方法確保了高良率裸片,并提高了高頻電源設(shè)計(jì)的性能,更簡化了混合技術(shù)的制造程序。
NIS3001由QFN封裝的CMOS模擬門驅(qū)動(dòng)器NCP5351和兩個(gè)MOSFET裸芯片組成。
高邊的NTC60N02R和低邊的NTC95N02 MOSFETs結(jié)合了安森美半導(dǎo)體的專利HD3E平面技術(shù),具有世界級轉(zhuǎn)換性能。NIS3001內(nèi)具有導(dǎo)通電阻極低(2.6 毫歐)的用作同步MOSFET的器件,和速度極快以控制MOSFET的器件。
超過海德漢EnDat 2.2時(shí)鐘頻率,
最長20m可達(dá)16 MHz,
最長100m電纜可達(dá)8 MHz
強(qiáng)大的接口,
具有較高的EMC抗擾性,
得益于寬電源范圍3.3V至5V,
半雙工RS-485收發(fā)器(THVD1450),
50 Mbaud,
具有±15V共模范圍,
16kV IEC-ESD和4kV電子轉(zhuǎn)帳
經(jīng)過測試的設(shè)計(jì)符合ESD
(IEC61000-4-2),EFT(IEC61000-4-4)
電涌(IEC61000-4-5)的EMC抗擾度要求,
并符合IEC61800-3的等級和合格標(biāo)準(zhǔn)
可配置的編碼器默認(rèn)電壓為8 V,
低紋波(<50mVpp)輸出符合Endat2.2規(guī)范
編碼器電源保護(hù)的250 mA標(biāo)稱輸出電流
具有短路保護(hù)和電源良好的反饋,
可用于診斷
邏輯接口默認(rèn)3.3 V I / O到主機(jī)處理器
(例如C2000 MCU或Sitara®處理器)
以運(yùn)行EnDat 2.2主軟件
980nm波長泵激光二極管ML861E5S,它能輸出超高峰值功率1100mW,而不會(huì)對密集波分多路復(fù)用(DWDM)應(yīng)用帶來災(zāi)難性的光學(xué)損害(COD)。
不需冷卻的ML8627S激光二極管在大城市區(qū)域網(wǎng)的應(yīng)用中,在整個(gè)溫度范圍提供優(yōu)異的波長穩(wěn)定性。兩種二極管用作摻爾光纖放大器(EDFA)的泵源。
ML861E5S泵激光二極管在用硅離子注入所形成的量子井所形成的創(chuàng)新的窗口結(jié)構(gòu)中,能輸出1100mW峰值功率,其拐點(diǎn)輸出功率為750mW。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
模擬驅(qū)動(dòng)器封裝與分立開關(guān)共同封裝,這是直流/直流轉(zhuǎn)換器的創(chuàng)舉。這種封裝套封裝的方法確保了高良率裸片,并提高了高頻電源設(shè)計(jì)的性能,更簡化了混合技術(shù)的制造程序。
NIS3001由QFN封裝的CMOS模擬門驅(qū)動(dòng)器NCP5351和兩個(gè)MOSFET裸芯片組成。
高邊的NTC60N02R和低邊的NTC95N02 MOSFETs結(jié)合了安森美半導(dǎo)體的專利HD3E平面技術(shù),具有世界級轉(zhuǎn)換性能。NIS3001內(nèi)具有導(dǎo)通電阻極低(2.6 毫歐)的用作同步MOSFET的器件,和速度極快以控制MOSFET的器件。
超過海德漢EnDat 2.2時(shí)鐘頻率,
最長20m可達(dá)16 MHz,
最長100m電纜可達(dá)8 MHz
強(qiáng)大的接口,
具有較高的EMC抗擾性,
得益于寬電源范圍3.3V至5V,
半雙工RS-485收發(fā)器(THVD1450),
50 Mbaud,
具有±15V共模范圍,
16kV IEC-ESD和4kV電子轉(zhuǎn)帳
經(jīng)過測試的設(shè)計(jì)符合ESD
(IEC61000-4-2),EFT(IEC61000-4-4)
電涌(IEC61000-4-5)的EMC抗擾度要求,
并符合IEC61800-3的等級和合格標(biāo)準(zhǔn)
可配置的編碼器默認(rèn)電壓為8 V,
低紋波(<50mVpp)輸出符合Endat2.2規(guī)范
編碼器電源保護(hù)的250 mA標(biāo)稱輸出電流
具有短路保護(hù)和電源良好的反饋,
可用于診斷
邏輯接口默認(rèn)3.3 V I / O到主機(jī)處理器
(例如C2000 MCU或Sitara®處理器)
以運(yùn)行EnDat 2.2主軟件
980nm波長泵激光二極管ML861E5S,它能輸出超高峰值功率1100mW,而不會(huì)對密集波分多路復(fù)用(DWDM)應(yīng)用帶來災(zāi)難性的光學(xué)損害(COD)。
不需冷卻的ML8627S激光二極管在大城市區(qū)域網(wǎng)的應(yīng)用中,在整個(gè)溫度范圍提供優(yōu)異的波長穩(wěn)定性。兩種二極管用作摻爾光纖放大器(EDFA)的泵源。
ML861E5S泵激光二極管在用硅離子注入所形成的量子井所形成的創(chuàng)新的窗口結(jié)構(gòu)中,能輸出1100mW峰值功率,其拐點(diǎn)輸出功率為750mW。
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