串行并聯(lián)接口NLSF595的靜態(tài)供電電流1.0微安
發(fā)布時(shí)間:2021/1/14 18:23:42 訪問次數(shù):314
新型DC-DC轉(zhuǎn)換器還能將電源或電池的滿負(fù)載,即+5.0V輸入分壓或倍壓,在分壓模式下提供+2.25V輸出,而在倍壓模式下提供+9.5V輸出。
FAN5660的推出全面配合我們的電源管理戰(zhàn)略,為客戶提供高效功率轉(zhuǎn)換解決方案。FAN5660在滿負(fù)載下具有極高的轉(zhuǎn)換效率,可為便攜及手持設(shè)備的電池延長(zhǎng)壽命。
振蕩器可在高頻或低頻下工作。當(dāng)選擇較低的5kHz工作頻率時(shí),靜態(tài)電流會(huì)降至很低,而在較高的50KHz工作頻率下可使用更小的電容器。
制造商:ON Semiconductor 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:P-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:20 V Id
通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:0.94 mm 長(zhǎng)度:2.9 mm 產(chǎn)品:MOSFET Small Signal 晶體管類型:1 P-Channel 類型:MOSFET 寬度:1.3 mm 商標(biāo):ON Semiconductor 下降時(shí)間:3 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:9 ns 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:9 ns 典型接通延遲時(shí)間:7 ns 單位重量:8 mg
NLSF595與現(xiàn)有串行并聯(lián)接口(SPI)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)接口,僅使用三根引線。
在25° C(典型值)下,NLSF595的靜態(tài)供電電流低于1.0微安,幾乎為零,是以電池為能源的設(shè)備的理想選擇。
安森美半導(dǎo)體的NLSF595提供創(chuàng)新的業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)四方扁平無引線(QFN)封裝,作為器件的封裝選擇之一。這種16引線的QFN封裝面積為3 X 3 mm,且有很大的中心區(qū)域用于焊接。
FAN5660充電泵具有內(nèi)置振蕩器電路,可以靈活選擇適當(dāng)?shù)墓ぷ黝l率。
新型DC-DC轉(zhuǎn)換器還能將電源或電池的滿負(fù)載,即+5.0V輸入分壓或倍壓,在分壓模式下提供+2.25V輸出,而在倍壓模式下提供+9.5V輸出。
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振蕩器可在高頻或低頻下工作。當(dāng)選擇較低的5kHz工作頻率時(shí),靜態(tài)電流會(huì)降至很低,而在較高的50KHz工作頻率下可使用更小的電容器。
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產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:9 ns 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:9 ns 典型接通延遲時(shí)間:7 ns 單位重量:8 mg
NLSF595與現(xiàn)有串行并聯(lián)接口(SPI)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)接口,僅使用三根引線。
在25° C(典型值)下,NLSF595的靜態(tài)供電電流低于1.0微安,幾乎為零,是以電池為能源的設(shè)備的理想選擇。
安森美半導(dǎo)體的NLSF595提供創(chuàng)新的業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)四方扁平無引線(QFN)封裝,作為器件的封裝選擇之一。這種16引線的QFN封裝面積為3 X 3 mm,且有很大的中心區(qū)域用于焊接。
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