FRAM測(cè)試芯片是用標(biāo)準(zhǔn)的130nm銅連接工藝制造，僅增加兩道掩模工序。1.5V芯片證明了迄今為止最小的FRAM單元，尺寸僅為0.52平方微米，因此在同樣的芯片上能得到比SRAM密度更高的存儲(chǔ)器。在90nm工藝，F(xiàn)RAM單元更小，僅為0.35平方微米。

制造商:Infineon 產(chǎn)品種類(lèi):IGBT 晶體管 技術(shù):Si 封裝 / 箱體:TO-247-3 安裝風(fēng)格:Through Hole 配置:Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V 集電極—射極飽和電壓:2.05 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:30 A Pd-功率耗散:217 W 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 175 C 系列: 封裝:Tube 商標(biāo):Infineon Technologies 柵極—射極漏泄電流:600 nA 產(chǎn)品類(lèi)型:IGBT Transistors 240 子類(lèi)別:IGBTs 商標(biāo)名: 零件號(hào)別名:IKW15N120H3 SP000674422 單位重量:1.810 g

單獨(dú)的數(shù)據(jù)和電源線(xiàn)的安裝同樣會(huì)要化更多時(shí)間發(fā)現(xiàn)并修理故障。

每增加一個(gè)傳感器或除去一個(gè)激勵(lì)器，數(shù)據(jù)和電源線(xiàn)必須要適當(dāng)改變，常常出現(xiàn)在新連接建立前網(wǎng)絡(luò)會(huì)關(guān)斷的現(xiàn)象。

LPT-11收發(fā)器能以78Kbps的速率在長(zhǎng)達(dá)500米的距離以自由布局的方式通信，用雙端總線(xiàn)布局則可長(zhǎng)達(dá)2200米。單一的鏈接網(wǎng)絡(luò)部件能支持多達(dá)128個(gè)設(shè)備。

鏈接網(wǎng)絡(luò)部件可由路由器或物理層中繼器來(lái)進(jìn)行互連，以支持更多的設(shè)備。