速度為350GHz的鍺硅晶體管。這種新型晶體管的性能比現(xiàn)有的產(chǎn)品高近300%，比先前報道過的硅晶體管快65%。手指甲大小的微芯片能有幾百萬個晶體管。

IBM開發(fā)的晶體管將會使通信芯片在大約兩年內(nèi)速度高于150GHz。該晶體管也期望能大大地降低通信系統(tǒng)和其它電子產(chǎn)品的功耗和成本。

晶體管的速度主要由電子通過晶體管的快慢來決定。這取決于制造晶體管的半導(dǎo)體材料和電子必須通過的距離。絕大多數(shù)標準晶體管所用的材料是硅。

制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管 技術(shù):Si 封裝 / 箱體:TO-247-3 安裝風格:Through Hole 配置:Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:1.65 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:74 A Pd-功率耗散:250 W 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 175 C 系列: 封裝:Tube 高度:20.7 mm 長度:15.87 mm 寬度:5.31 mm 商標:Infineon Technologies 柵極—射極漏泄電流:100 nA 產(chǎn)品類型:IGBT Transistors 240 子類別:IGBTs 商標名: 零件號別名:IKW40N65H5 SP001001730 單位重量:38 g

FRAM核心技術(shù)是把微細的鐵電晶體集成到電容上，使FRAM像快速的非揮發(fā)RAM那樣工作。鐵電晶體的電極化在電場的作用下在兩個穩(wěn)定狀態(tài)間變化。

電極化的方向有內(nèi)部電路的高或低邏輯狀態(tài)確定。

每個方向都是穩(wěn)定的，電場除去后依然保持不變，從而在存儲器中保存了數(shù)據(jù)而不會發(fā)生周期性刷新。TI的FRAM單元采用1晶體管-1電容(1T-1C)結(jié)構(gòu)，最小化單元面積。

鐵電電容由銥電極和薄的鋯酸鉛鈦酸鹽(Lead Zirconate Titanate(PZT))鐵電層組成。