為了滿(mǎn)足這些要求和減小所要求的大電容，降壓轉(zhuǎn)換器必須要工作在1-2MHz的頻率范圍。

30V IRF607封在兩邊冷卻的SO-8 SMT封裝，在導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗都有重大的改進(jìn)，它的2.7耗歐姆超低導(dǎo)通電阻在SO-8封裝中是最小的。

它的低柵極電荷和柵-漏電荷以及比SO-8封裝MOSFET低70%的封裝電感，使它在兆赫頻率范圍有低的開(kāi)關(guān)損耗。DirectFET封裝的高熱導(dǎo)性能很快把熱量散出去。

DirectFET器件有低功耗和高熱導(dǎo)性，使得在2MHz每相30A的電流，僅需要兩個(gè)DirectFET MOSFET。

制造商:ROHM Semiconductor 產(chǎn)品種類(lèi):雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-323-3 晶體管極性:PNP 配置:Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 60 V 集電極—基極電壓 VCBO:- 60 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 5 V 集電極—射極飽和電壓:- 1.6 V 最大直流電集電極電流:0.6 A Pd-功率耗散:200 mW 增益帶寬產(chǎn)品fT:200 MHz 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 系列: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 直流電流增益 hFE 最大值:300 高度:0.8 mm 長(zhǎng)度:2 mm 技術(shù):Si 寬度:1.25 mm 商標(biāo):ROHM Semiconductor 集電極連續(xù)電流:- 0.6 A 直流集電極/Base Gain hfe Min:50 產(chǎn)品類(lèi)型:BJTs - Bipolar Transistors 3000 子類(lèi)別:Transistors 零件號(hào)別名:UMT2907A 單位重量:5 mg

VicharaTM 81000是業(yè)界第一個(gè)搜索監(jiān)視協(xié)處理器，卸載搜索處理和管理多次搜索，能使包處理達(dá)到40Gbps的吞吐量。這就最大化LA-1總線(xiàn)帶寬，簡(jiǎn)化整個(gè)搜索系統(tǒng)管理。

和Cypress的網(wǎng)絡(luò)搜索引擎(NSE)AyamaTM NSE10000系列配合，VicharaTM 81000能達(dá)到266MSPS(每秒百萬(wàn)次搜索)。

Cypress MAN線(xiàn)路卡，集中體現(xiàn)了該公司線(xiàn)路卡解決方案的亮點(diǎn)。

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