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轉(zhuǎn)軸與動(dòng)片之間接觸不良的可變電容器

發(fā)布時(shí)間:2021/1/18 12:33:14 訪問(wèn)次數(shù):343

當(dāng)芯片檢測(cè)到電池電壓低于某個(gè)設(shè)定值，DO的電壓從高電勢(shì)轉(zhuǎn)換為零電壓，V1從導(dǎo)通切換為關(guān)斷，從而切斷放電時(shí)，過(guò)放電操作非常重要。 

電路磷酸鐵鋰電池負(fù)載無(wú)法放電，但是V1有自己的二極管VD1，因此充電器可以通過(guò)該二極管為磷酸鐵鋰電池充電。

磷酸鐵鋰電熱峰值可達(dá)350℃-500℃而錳酸鋰和鈷酸鋰只在200℃左右。工作溫度范圍寬廣(-20C--75C)，有耐高溫特性磷酸鐵鋰電熱峰值可達(dá)350℃-500℃而錳酸鋰和鈷酸鋰只在200℃左右。

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:60 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:16 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V Qg-柵極電荷:54 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:110 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名: 封裝:Tube 配置:Single 高度:9.15 mm 長(zhǎng)度:10.4 mm 系列: 晶體管類(lèi)型:1 N-Channel Power MOSFET 類(lèi)型:MOSFET 寬度:4.6 mm 商標(biāo):STMicroelectronics 正向跨導(dǎo) - 最小值:50 S 下降時(shí)間:20 ns 產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET 上升時(shí)間:65 ns 1000 子類(lèi)別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:45 ns 典型接通延遲時(shí)間:15 ns 單位重量:330 mg

用手輕輕旋動(dòng)轉(zhuǎn)軸，應(yīng)感覺(jué)十分平滑，不應(yīng)感覺(jué)有時(shí)松時(shí)緊甚至有卡滯現(xiàn)象。將載軸向前、后、上、下、左、右等各個(gè)方向推動(dòng)時(shí)，轉(zhuǎn)軸不應(yīng)有松動(dòng)的現(xiàn)象。

用一只手旋動(dòng)轉(zhuǎn)軸，另一只手輕摸動(dòng)片組的外緣，不應(yīng)感覺(jué)有任何松脫現(xiàn)象。轉(zhuǎn)軸與動(dòng)片之間接觸不良的可變電容器，是不能再繼續(xù)使用的。

將萬(wàn)用表置于 R&TImes;10k 擋，一只手將兩個(gè)表筆分別接可變電容器的動(dòng)片和定片的引出端，另一只手將轉(zhuǎn)軸緩緩旋動(dòng)幾個(gè)來(lái)回，萬(wàn)用表指針都應(yīng)在無(wú)窮大位置不動(dòng)。

(素材來(lái)源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）

當(dāng)芯片檢測(cè)到電池電壓低于某個(gè)設(shè)定值，DO的電壓從高電勢(shì)轉(zhuǎn)換為零電壓，V1從導(dǎo)通切換為關(guān)斷，從而切斷放電時(shí)，過(guò)放電操作非常重要。 

電路磷酸鐵鋰電池負(fù)載無(wú)法放電，但是V1有自己的二極管VD1，因此充電器可以通過(guò)該二極管為磷酸鐵鋰電池充電。

磷酸鐵鋰電熱峰值可達(dá)350℃-500℃而錳酸鋰和鈷酸鋰只在200℃左右。工作溫度范圍寬廣(-20C--75C)，有耐高溫特性磷酸鐵鋰電熱峰值可達(dá)350℃-500℃而錳酸鋰和鈷酸鋰只在200℃左右。

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:60 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:16 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V Qg-柵極電荷:54 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:110 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名: 封裝:Tube 配置:Single 高度:9.15 mm 長(zhǎng)度:10.4 mm 系列: 晶體管類(lèi)型:1 N-Channel Power MOSFET 類(lèi)型:MOSFET 寬度:4.6 mm 商標(biāo):STMicroelectronics 正向跨導(dǎo) - 最小值:50 S 下降時(shí)間:20 ns 產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET 上升時(shí)間:65 ns 1000 子類(lèi)別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:45 ns 典型接通延遲時(shí)間:15 ns 單位重量:330 mg

用手輕輕旋動(dòng)轉(zhuǎn)軸，應(yīng)感覺(jué)十分平滑，不應(yīng)感覺(jué)有時(shí)松時(shí)緊甚至有卡滯現(xiàn)象。將載軸向前、后、上、下、左、右等各個(gè)方向推動(dòng)時(shí)，轉(zhuǎn)軸不應(yīng)有松動(dòng)的現(xiàn)象。

用一只手旋動(dòng)轉(zhuǎn)軸，另一只手輕摸動(dòng)片組的外緣，不應(yīng)感覺(jué)有任何松脫現(xiàn)象。轉(zhuǎn)軸與動(dòng)片之間接觸不良的可變電容器，是不能再繼續(xù)使用的。

將萬(wàn)用表置于 R&TImes;10k 擋，一只手將兩個(gè)表筆分別接可變電容器的動(dòng)片和定片的引出端，另一只手將轉(zhuǎn)軸緩緩旋動(dòng)幾個(gè)來(lái)回，萬(wàn)用表指針都應(yīng)在無(wú)窮大位置不動(dòng)。

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