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MCX型同軸連接器NCP1203做成的70W開關電源

發(fā)布時間:2021/1/16 23:53:57 訪問次數(shù):895

小尺寸SMT同軸連接器MCX E型,它是小型(LP)卡邊緣連接器,支持回流焊,在PC板上方僅高出2.7mm ,在PC板下方僅有1.06mm。它是最小可用的MCX型同軸連接器。它能在18GHz下提供50-W的性能。

這種連接器在插槽內(nèi)有小的突出部分,能插進板上的焊盤孔,在回流焊過程中連接器鎖住在板上,不用粘合劑,同時也降低了焊點應力。該連接器有陰陽兩種類型,接觸面鍍金。也可由用戶來選擇鍍層金屬。

獨立測試時,用NCP1203做成的70W開關電源,在最大線電壓242V時待機功耗僅為86mW-該級別中最好的性能。

制造商:Renesas Electronics 產(chǎn)品種類:RS-422/RS-485 接口 IC 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 功能:Transceiver 數(shù)據(jù)速率:5 Mb/s 激勵器數(shù)量:1 Driver 接收機數(shù)量:1 Receiver 工作電源電壓:5 V 工作電源電流:900 uA 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 高度:1.5 mm (Max) 長度:5 mm (Max) 輸出類型:Differential 寬度:4 mm (Max) 商標:Renesas / Intersil 濕度敏感性:Yes 產(chǎn)品類型:RS-422/RS-485 Interface IC 工廠包裝數(shù)量2500 子類別:Interface ICs 單位重量:76 mg

晶體管/肖特基二極管組合封裝器件ZX3CD和ZXMxS系列,有N-MOSFET和P-MOSFET以及NPN和PNP雙極管不同版本,封裝尺寸為3x2x0.9mm,比通常的SM8封裝小88%。

該器件的封裝進一步降低了熱阻,使PC板面積上電流處理能力增加了三倍。

雙極器件的指標包括有Ic電流在3A到4.5A之間,1A時的飽和壓降VCE(sat)在140和20mV之間和飽和電阻RCE(sat) 在47 和104 mW,額定電壓有12,20和40V三種。MOSFET的指標包括有漏極電流Id在0.3-2A之間,導通電阻RDS(on) 在180 和900 mW之間, 漏源擊穿電壓BVDSS 在0 和40 V之間。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)

小尺寸SMT同軸連接器MCX E型,它是小型(LP)卡邊緣連接器,支持回流焊,在PC板上方僅高出2.7mm ,在PC板下方僅有1.06mm。它是最小可用的MCX型同軸連接器。它能在18GHz下提供50-W的性能。

這種連接器在插槽內(nèi)有小的突出部分,能插進板上的焊盤孔,在回流焊過程中連接器鎖住在板上,不用粘合劑,同時也降低了焊點應力。該連接器有陰陽兩種類型,接觸面鍍金。也可由用戶來選擇鍍層金屬。

獨立測試時,用NCP1203做成的70W開關電源,在最大線電壓242V時待機功耗僅為86mW-該級別中最好的性能。

制造商:Renesas Electronics 產(chǎn)品種類:RS-422/RS-485 接口 IC 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 功能:Transceiver 數(shù)據(jù)速率:5 Mb/s 激勵器數(shù)量:1 Driver 接收機數(shù)量:1 Receiver 工作電源電壓:5 V 工作電源電流:900 uA 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 高度:1.5 mm (Max) 長度:5 mm (Max) 輸出類型:Differential 寬度:4 mm (Max) 商標:Renesas / Intersil 濕度敏感性:Yes 產(chǎn)品類型:RS-422/RS-485 Interface IC 工廠包裝數(shù)量2500 子類別:Interface ICs 單位重量:76 mg

晶體管/肖特基二極管組合封裝器件ZX3CD和ZXMxS系列,有N-MOSFET和P-MOSFET以及NPN和PNP雙極管不同版本,封裝尺寸為3x2x0.9mm,比通常的SM8封裝小88%。

該器件的封裝進一步降低了熱阻,使PC板面積上電流處理能力增加了三倍。

雙極器件的指標包括有Ic電流在3A到4.5A之間,1A時的飽和壓降VCE(sat)在140和20mV之間和飽和電阻RCE(sat) 在47 和104 mW,額定電壓有12,20和40V三種。MOSFET的指標包括有漏極電流Id在0.3-2A之間,導通電阻RDS(on) 在180 和900 mW之間, 漏源擊穿電壓BVDSS 在0 和40 V之間。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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