MIMO以幾個(gè)速率為54Mbps天線發(fā)送數(shù)據(jù)流，大大地增加了數(shù)據(jù)速率，而工作頻率卻是一樣的。這兩種技術(shù)能夠傳輸速率大于162Mbps的數(shù)據(jù)，取決于所用的天線總數(shù)量。

特別要提的是，采用5GHz頻段的IEEE 802.11a技術(shù)的Agere數(shù)據(jù)發(fā)送平臺(tái)有三個(gè)發(fā)送和接收天線。演示證明，數(shù)據(jù)通信量的增加正比于天線的數(shù)量。

Agere公司正打算精煉這種前沿?zé)o線技術(shù)，以滿足2004年期間需要和互聯(lián)網(wǎng)，電視，音頻和其它寬帶無(wú)線服務(wù)緊密結(jié)合在一起的解決方案的需要。

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:60 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:16 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V Qg-柵極電荷:54 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:110 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名: 封裝:Tube 配置:Single 高度:9.15 mm 長(zhǎng)度:10.4 mm 系列: 晶體管類型:1 N-Channel Power MOSFET 類型:MOSFET 寬度:4.6 mm 商標(biāo):STMicroelectronics 正向跨導(dǎo) - 最小值:50 S 下降時(shí)間:20 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:65 ns 1000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:45 ns 典型接通延遲時(shí)間:15 ns 單位重量:330 mg

其主要特性如下：引腳和PCA82C250和PC82C251；±36V地板總線故障保護(hù)；總線引腳ESD保護(hù)超過(guò)12KV HBM(人體模式)；信號(hào)速度高達(dá)1Mbps;高輸入阻抗使單總線上能有120個(gè)SN65HVD251節(jié)點(diǎn)；不加電的節(jié)點(diǎn)不會(huì)干擾總線；有低電流待機(jī)模式，典型值為200uA；熱關(guān)端保護(hù)；用于熱插拔的無(wú)毛刺上電和下電總線保護(hù)。

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