MS55X的技術(shù)優(yōu)點(diǎn)是能幫助驅(qū)動(dòng)器制造商改進(jìn)數(shù)據(jù)檢測(cè)，進(jìn)行噪音預(yù)測(cè)最大可能性(NPML)的檢測(cè)。把NPML和Agere讀通道IC中可用的自適應(yīng)均衡結(jié)合起來(lái)，能增加硬盤(pán)的驅(qū)動(dòng)能力，在非常"噪雜"條件下檢測(cè)非常弱的數(shù)據(jù)信號(hào)而不會(huì)危及數(shù)據(jù)完整性。

誤碼性能比以前的產(chǎn)品要好10倍，MS55X增加了硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)容量。此外，Agere用一整套的硬件和軟件工具以及眾多的開(kāi)發(fā)工具來(lái)支持，把技術(shù)上先進(jìn)的讀通道和芯片上系統(tǒng)(SoC)解決方案配成對(duì)，結(jié)合在一起。

在EMC和汽車(chē)電池瞬態(tài)方面具有魯棒性,4.5V至42V的寬輸入工作范圍,為用于汽車(chē)和顯示背光應(yīng)用中,中大型LCD顯示器的HB LED供電,擴(kuò)頻模式可降低開(kāi)關(guān)頻率及其諧波的輻射.

制造商:Infineon產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET技術(shù):Si安裝風(fēng)格:Through Hole封裝 / 箱體:TO-205AF-3晶體管極性:P-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:100 VId-連續(xù)漏極電流:6.5 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:345 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 125 CPd-功率耗散:25 W通道模式:Enhancement配置:Single高度:4.54 mm長(zhǎng)度:8.3 mm晶體管類(lèi)型:1 P-Channel寬度:8.3 mm商標(biāo):Infineon / IR下降時(shí)間:140 ns產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET上升時(shí)間:140 ns子類(lèi)別:MOSFETs典型關(guān)閉延遲時(shí)間:140 ns典型接通延遲時(shí)間:60 ns

單刀/三擲(SP3T)CMOS模擬開(kāi)關(guān)FSA3357。這種革命性的新器件給手持設(shè)備，手機(jī)，MP3播放器，PDA，筆記本電腦和其它手提電子設(shè)備的設(shè)計(jì)者提供了重大的好處。

代替兩個(gè)單刀/雙擲(串聯(lián))元件，復(fù)接比為3：1的FSA3357降低元件數(shù)目50%，更好利用PCB，保護(hù)了信號(hào)完整性，降低在SMT過(guò)程中等效元件的拾和放操作一半。

FSA 3357 SP3T的封裝為US8封裝，有同等功能時(shí)，提供比2：1復(fù)接器件更小的體積和更好的性能。

高性能FSA3357 SP3T模擬開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通電阻僅為6歐姆，會(huì)使信號(hào)衰減最小。

EMI降低功能包括擴(kuò)頻調(diào)制,LED串的相移調(diào)光,降低輸入和輸出紋波/可聽(tīng)噪聲,寬對(duì)比度是高品質(zhì)TFT和平視顯示器理想選擇,200Hz時(shí)10,000:1的PWM調(diào)光比.

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