0.13um多級單元(MLC）NAND技術(shù)
發(fā)布時(shí)間:2021/1/20 12:16:34 訪問次數(shù):534
移動(dòng)DiskOnChip G3 512Mb閃存盤，它采用0.13um多級單元(MLC）NAND技術(shù)，在單一NAND存儲(chǔ)單元中能存儲(chǔ)兩位信息。由于采用先進(jìn)的內(nèi)置控制器和獨(dú)特的閃存媒體結(jié)構(gòu)，移動(dòng)DiskOnChip G3有增強(qiáng)的性能和無可匹敵的可靠性。
AFL50系列的輸入電壓為30-80V，而AFL120的輸入電壓為80-160V。有18種SMD型號：AFL50系列10種：5962-02556 到5962-02565；AFL120系列8種：5962-02548 到5962-02555。
制造商:Intel 產(chǎn)品種類:固態(tài)硬盤 - SSD RoHS: 系列: 外觀尺寸:HHHL (CEM2.0) 配置:MLC 商標(biāo):Intel 產(chǎn)品類型:Solid State Drives - SSD 1 子類別:Memory & Data Storage 零件號別名:943979
其封裝尺寸為85引腳的7x10x1.2mm FBGA，是業(yè)界最小的高容量非易失的存儲(chǔ)器，能存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和代碼，內(nèi)部總線32位，支持DMA(64KB)和多突發(fā)式存取時(shí)間25ns(80MB/s)，NOR類接口，容易使用，內(nèi)核工作電壓3.3V,1.8V I/O，深降功耗(DPD）模式功耗僅10uA，內(nèi)置的2KB XIP引導(dǎo)區(qū)使它能完全替代NOR閃存。其它特性包括有突發(fā)模式讀速度高達(dá)80MBps。
該器件采用EDC/ECC和TrueFFS技術(shù)，以改善數(shù)據(jù)完整性。安全特性包括有16B獨(dú)特的ID號和6KB OTP區(qū)域.
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
移動(dòng)DiskOnChip G3 512Mb閃存盤，它采用0.13um多級單元(MLC）NAND技術(shù)，在單一NAND存儲(chǔ)單元中能存儲(chǔ)兩位信息。由于采用先進(jìn)的內(nèi)置控制器和獨(dú)特的閃存媒體結(jié)構(gòu)，移動(dòng)DiskOnChip G3有增強(qiáng)的性能和無可匹敵的可靠性。
AFL50系列的輸入電壓為30-80V，而AFL120的輸入電壓為80-160V。有18種SMD型號：AFL50系列10種：5962-02556 到5962-02565；AFL120系列8種：5962-02548 到5962-02555。
制造商:Intel 產(chǎn)品種類:固態(tài)硬盤 - SSD RoHS: 系列: 外觀尺寸:HHHL (CEM2.0) 配置:MLC 商標(biāo):Intel 產(chǎn)品類型:Solid State Drives - SSD 1 子類別:Memory & Data Storage 零件號別名:943979
其封裝尺寸為85引腳的7x10x1.2mm FBGA，是業(yè)界最小的高容量非易失的存儲(chǔ)器，能存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和代碼，內(nèi)部總線32位，支持DMA(64KB)和多突發(fā)式存取時(shí)間25ns(80MB/s)，NOR類接口，容易使用，內(nèi)核工作電壓3.3V,1.8V I/O，深降功耗(DPD）模式功耗僅10uA，內(nèi)置的2KB XIP引導(dǎo)區(qū)使它能完全替代NOR閃存。其它特性包括有突發(fā)模式讀速度高達(dá)80MBps。
該器件采用EDC/ECC和TrueFFS技術(shù)，以改善數(shù)據(jù)完整性。安全特性包括有16B獨(dú)特的ID號和6KB OTP區(qū)域.
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