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EMI濾波器滿(mǎn)足MIL-STD-461C厚膜電路裝配技術(shù)

發(fā)布時(shí)間:2021/1/20 19:14:32 訪問(wèn)次數(shù):678

新轉(zhuǎn)換器目標(biāo)用在功率系統(tǒng)的電負(fù)載調(diào)整,采用厚膜電路裝配技術(shù),以減小體積和重量。產(chǎn)品的輸入電壓為通常的28V,標(biāo)準(zhǔn)的輸出電壓,單電壓輸出為3.3V,5V,12V和15V,雙電壓輸出為+/-5V,+/-12V和+/-15V。轉(zhuǎn)換器包括有輸入EMI濾波器,能滿(mǎn)足MIL-STD-461C的要求。

它的主要性能如下:總離子劑量(TID)大于25krad;SEE大于37MeV-cm2/mg; 滿(mǎn)足MIL-STD-461C,CE01和CS01;重量小于85克;工作溫度-55到125度C;TTL兼容開(kāi)/關(guān)指令;外形尺寸2.3"L x 1.5"W x 0.405"H。

制造商:NXP 產(chǎn)品種類(lèi):CAN 接口集成電路 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 類(lèi)型:High Speed 數(shù)據(jù)速率:5 Mb/s 激勵(lì)器數(shù)量:1 Driver 接收機(jī)數(shù)量:1 Receiver 電源電壓-最大:5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電源電流:80 mA 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 150 C 產(chǎn)品:CAN Transceivers 商標(biāo):NXP Semiconductors 接口類(lèi)型:CAN 工作電源電壓:4.5 V to 5 V 產(chǎn)品類(lèi)型:CAN Interface IC 傳播延遲時(shí)間:90 ns 支持協(xié)議:CAN 子類(lèi)別:Interface ICs

鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(FeRAM),它是非易失性的低功耗高密度和高速度的存儲(chǔ)器,很適合用在下一代移動(dòng)設(shè)備和SoC應(yīng)用。

推出的4Mb和8Mb密度,采用先進(jìn)的0.25微米工藝制造,F(xiàn)eRAM工作在3.0V電壓,數(shù)據(jù)存取速度為70ns,能進(jìn)行1000億次讀/寫(xiě)操作。

和現(xiàn)有的兩個(gè)晶體管和兩個(gè)電容的結(jié)構(gòu)不同,新推出的FeRAM采用一個(gè)晶體管和一個(gè)電容(1T1C)單元結(jié)構(gòu),以得到百萬(wàn)級(jí)的密度,工作電壓可低于1.0V,超出傳統(tǒng)的FeRAM的限制。

(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

新轉(zhuǎn)換器目標(biāo)用在功率系統(tǒng)的電負(fù)載調(diào)整,采用厚膜電路裝配技術(shù),以減小體積和重量。產(chǎn)品的輸入電壓為通常的28V,標(biāo)準(zhǔn)的輸出電壓,單電壓輸出為3.3V,5V,12V和15V,雙電壓輸出為+/-5V,+/-12V和+/-15V。轉(zhuǎn)換器包括有輸入EMI濾波器,能滿(mǎn)足MIL-STD-461C的要求。

它的主要性能如下:總離子劑量(TID)大于25krad;SEE大于37MeV-cm2/mg; 滿(mǎn)足MIL-STD-461C,CE01和CS01;重量小于85克;工作溫度-55到125度C;TTL兼容開(kāi)/關(guān)指令;外形尺寸2.3"L x 1.5"W x 0.405"H。

制造商:NXP 產(chǎn)品種類(lèi):CAN 接口集成電路 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 類(lèi)型:High Speed 數(shù)據(jù)速率:5 Mb/s 激勵(lì)器數(shù)量:1 Driver 接收機(jī)數(shù)量:1 Receiver 電源電壓-最大:5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電源電流:80 mA 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 150 C 產(chǎn)品:CAN Transceivers 商標(biāo):NXP Semiconductors 接口類(lèi)型:CAN 工作電源電壓:4.5 V to 5 V 產(chǎn)品類(lèi)型:CAN Interface IC 傳播延遲時(shí)間:90 ns 支持協(xié)議:CAN 子類(lèi)別:Interface ICs

鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(FeRAM),它是非易失性的低功耗高密度和高速度的存儲(chǔ)器,很適合用在下一代移動(dòng)設(shè)備和SoC應(yīng)用。

推出的4Mb和8Mb密度,采用先進(jìn)的0.25微米工藝制造,F(xiàn)eRAM工作在3.0V電壓,數(shù)據(jù)存取速度為70ns,能進(jìn)行1000億次讀/寫(xiě)操作。

和現(xiàn)有的兩個(gè)晶體管和兩個(gè)電容的結(jié)構(gòu)不同,新推出的FeRAM采用一個(gè)晶體管和一個(gè)電容(1T1C)單元結(jié)構(gòu),以得到百萬(wàn)級(jí)的密度,工作電壓可低于1.0V,超出傳統(tǒng)的FeRAM的限制。

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