3.3V邏輯電平直接和微處理器或其它邏輯器件接口
發(fā)布時(shí)間:2021/1/25 21:02:36 訪問次數(shù):315
400W的熱插拔AC/DC電源PALS400，它和IEEE 802.3AF標(biāo)準(zhǔn)兼容。它是目前給LAN供電的有最大輸出功率的轉(zhuǎn)換器。
功率密度達(dá)6.25-W/in.3 ，1U PFC器件的輸入電壓為85V到264V AC，提供12V/16A，48V/8A的直流輸出以及待機(jī)時(shí)的12V/500mA輸出電源，用于I2C接口。
其特性包括有工作電流共享，冗余操作能力，遙控傳感和運(yùn)行以及浪涌電流限制。輸入和輸出的絕緣達(dá)2250Vdc。該器件的尺寸為10.4x4.0x1.6英吋，內(nèi)裝有風(fēng)扇冷卻，熱插拔功能以及SSI型后板連接器。
產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PG-TO-263-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:250 V Id-連續(xù)漏極電流:64 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:20 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V Qg-柵極電荷:64 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:300 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名:OptiMOS 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:4.4 mm 長(zhǎng)度:10 mm 系列:OptiMOS 3 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:9.25 mm 商標(biāo):Infineon Technologies 正向跨導(dǎo) - 最小值:61 S 下降時(shí)間:12 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:20 ns 工廠包裝數(shù)量:1000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:45 ns 典型接通延遲時(shí)間:18 ns 零件號(hào)別名:IPB200N25N3 G SP000677896 單位重量:4 g
IR2136器件有三個(gè)高邊MOSFET和三個(gè)低邊IGBT高壓柵驅(qū)動(dòng)器組成，有各種保護(hù)功能，和CMOS或LSTTL輸出兼容，3.3V邏輯電平直接和微處理器或其它邏輯器件接口，提供120mA/250mA輸出電流源/吸收源。IR2136逆變器/驅(qū)動(dòng)器IC能使機(jī)器人的設(shè)計(jì)有高達(dá)50V/ns dV/dt的免疫性和低的di/dt驅(qū)動(dòng)電流。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）
400W的熱插拔AC/DC電源PALS400，它和IEEE 802.3AF標(biāo)準(zhǔn)兼容。它是目前給LAN供電的有最大輸出功率的轉(zhuǎn)換器。
功率密度達(dá)6.25-W/in.3 ，1U PFC器件的輸入電壓為85V到264V AC，提供12V/16A，48V/8A的直流輸出以及待機(jī)時(shí)的12V/500mA輸出電源，用于I2C接口。
其特性包括有工作電流共享，冗余操作能力，遙控傳感和運(yùn)行以及浪涌電流限制。輸入和輸出的絕緣達(dá)2250Vdc。該器件的尺寸為10.4x4.0x1.6英吋，內(nèi)裝有風(fēng)扇冷卻，熱插拔功能以及SSI型后板連接器。
產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PG-TO-263-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:250 V Id-連續(xù)漏極電流:64 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:20 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V Qg-柵極電荷:64 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:300 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名:OptiMOS 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:4.4 mm 長(zhǎng)度:10 mm 系列:OptiMOS 3 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:9.25 mm 商標(biāo):Infineon Technologies 正向跨導(dǎo) - 最小值:61 S 下降時(shí)間:12 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:20 ns 工廠包裝數(shù)量:1000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:45 ns 典型接通延遲時(shí)間:18 ns 零件號(hào)別名:IPB200N25N3 G SP000677896 單位重量:4 g
IR2136器件有三個(gè)高邊MOSFET和三個(gè)低邊IGBT高壓柵驅(qū)動(dòng)器組成，有各種保護(hù)功能，和CMOS或LSTTL輸出兼容，3.3V邏輯電平直接和微處理器或其它邏輯器件接口，提供120mA/250mA輸出電流源/吸收源。IR2136逆變器/驅(qū)動(dòng)器IC能使機(jī)器人的設(shè)計(jì)有高達(dá)50V/ns dV/dt的免疫性和低的di/dt驅(qū)動(dòng)電流。
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