LED和接收器件間的電流轉(zhuǎn)移比(CTR)衰減
發(fā)布時間:2021/1/25 20:59:54 訪問次數(shù):849
IR2175中的馬達驅(qū)動電路不用外接的光學或霍爾效應傳感器,降低了芯片尺寸,簡化了設計和增加了可靠性。IR2175過流關斷特性2.0us,直接和微處理器或DSP通信。
傳統(tǒng)的線性電流傳感光學或霍爾效應傳感器系統(tǒng)的關斷時間為三到四微秒,為了得到相同的功能,需要兩個外接比較器和電平轉(zhuǎn)移運算放大器。
作為光耦合級,當LED和接收器件間的電流轉(zhuǎn)移比(CTR)衰減時會引起系統(tǒng)故障。由于不用光耦級,IR2175在整個工作狀態(tài)保持高性能,從而增加可靠性。
通道模式:Enhancement 商標名:CoolMOS 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:2.3 mm 長度:6.5 mm 系列:CoolMOS C3 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:6.22 mm 商標:Infineon Technologies 下降時間:40 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:20 ns 工廠包裝數(shù)量:2500 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:400 ns 典型接通延遲時間:70 ns 零件號別名:IPD90R1K2C3 SP001117752 單位重量:4 g

高速端口應用的ESD保護器件陣列CM1213,它的電容只有1pF,是業(yè)界第一個有超低電容的器件,能處理USB 2.0,防火墻,DVI,HDMI和SATA信號。和有額定指標3pF到5pF的器件不同,CM1213不會衰減USB 2.0,防火墻,DVI,HDMI和SATA中的高速數(shù)據(jù)信號。
指標包括8KV的ESD接觸保護指標,15KV的空氣保護指標,通道到地的差分電容為0.02pF,通道到通道的電容為0.003pF,鉗位電壓為Vbus+9V(最大為14V)。有1通道到8通道的型號,封裝有SOT-23,SOT-14,SOIC和MSOP幾種類型。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)
IR2175中的馬達驅(qū)動電路不用外接的光學或霍爾效應傳感器,降低了芯片尺寸,簡化了設計和增加了可靠性。IR2175過流關斷特性2.0us,直接和微處理器或DSP通信。
傳統(tǒng)的線性電流傳感光學或霍爾效應傳感器系統(tǒng)的關斷時間為三到四微秒,為了得到相同的功能,需要兩個外接比較器和電平轉(zhuǎn)移運算放大器。
作為光耦合級,當LED和接收器件間的電流轉(zhuǎn)移比(CTR)衰減時會引起系統(tǒng)故障。由于不用光耦級,IR2175在整個工作狀態(tài)保持高性能,從而增加可靠性。
通道模式:Enhancement 商標名:CoolMOS 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:2.3 mm 長度:6.5 mm 系列:CoolMOS C3 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:6.22 mm 商標:Infineon Technologies 下降時間:40 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:20 ns 工廠包裝數(shù)量:2500 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:400 ns 典型接通延遲時間:70 ns 零件號別名:IPD90R1K2C3 SP001117752 單位重量:4 g

高速端口應用的ESD保護器件陣列CM1213,它的電容只有1pF,是業(yè)界第一個有超低電容的器件,能處理USB 2.0,防火墻,DVI,HDMI和SATA信號。和有額定指標3pF到5pF的器件不同,CM1213不會衰減USB 2.0,防火墻,DVI,HDMI和SATA中的高速數(shù)據(jù)信號。
指標包括8KV的ESD接觸保護指標,15KV的空氣保護指標,通道到地的差分電容為0.02pF,通道到通道的電容為0.003pF,鉗位電壓為Vbus+9V(最大為14V)。有1通道到8通道的型號,封裝有SOT-23,SOT-14,SOIC和MSOP幾種類型。

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