線性激勵(lì)器和MLA和微型電介質(zhì)多層濾波器
發(fā)布時(shí)間:2021/1/26 23:05:26 訪問次數(shù):546
P1X4A CWDW復(fù)接器/分路器，由MLA和微型電介質(zhì)多層濾波器組成，尺寸為7.2x14.5x4.7mm。其特性包括有典型插入損耗2dB，串音最低為30dB，主通道波長(zhǎng)為1,510, 1,530, 1,550和1,570 nm，有效波長(zhǎng)間隔為13nm。
P1S18A單模1X8光轉(zhuǎn)換尺寸為16x44x8.5mm，集成了線性激勵(lì)器和MLA。其特性包括有插入損耗2dB，串音最大限度為55dB，回波損耗最低為35dB，波長(zhǎng)范圍從1290到1580nm，5Vdc驅(qū)動(dòng)壓力，轉(zhuǎn)換功率損耗為800mW。
制造商:Power Integrations 產(chǎn)品種類:交流/直流轉(zhuǎn)換器 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SMD-8C 輸出電壓:700 V 輸出功率:48 W 輸入/電源電壓—最小值:- 0.3 V 輸入/電源電壓—最大值:9 V 開關(guān)頻率:132 kHz 占空比 - 最大:78 % 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 150 C 輸出電流:6.88 A 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 類型:Off Line Converter 商標(biāo):Power Integrations 濕度敏感性:Yes 產(chǎn)品類型:AC/DC Converters 工廠包裝數(shù)量1000 子類別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:1.005 g
為了適應(yīng)增加的應(yīng)用功能和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)對(duì)存儲(chǔ)器的要求，NAND閃存正在變得受歡迎，因?yàn)樗拿课怀杀镜�，而新的低功耗SDRAM正在成為有豐富多彩特性的工作存儲(chǔ)器的新解決方案，3G手機(jī)執(zhí)行存儲(chǔ)在NAND閃存的代碼。
低功耗SDRAM的典型速度83MHz或更高，和NAND閃存組合，給手機(jī)存儲(chǔ)器子系統(tǒng)提供了成本效率的高性能解決方案。
(素材來(lái)源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）
P1X4A CWDW復(fù)接器/分路器，由MLA和微型電介質(zhì)多層濾波器組成，尺寸為7.2x14.5x4.7mm。其特性包括有典型插入損耗2dB，串音最低為30dB，主通道波長(zhǎng)為1,510, 1,530, 1,550和1,570 nm，有效波長(zhǎng)間隔為13nm。
P1S18A單模1X8光轉(zhuǎn)換尺寸為16x44x8.5mm，集成了線性激勵(lì)器和MLA。其特性包括有插入損耗2dB，串音最大限度為55dB，回波損耗最低為35dB，波長(zhǎng)范圍從1290到1580nm，5Vdc驅(qū)動(dòng)壓力，轉(zhuǎn)換功率損耗為800mW。
制造商:Power Integrations 產(chǎn)品種類:交流/直流轉(zhuǎn)換器 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SMD-8C 輸出電壓:700 V 輸出功率:48 W 輸入/電源電壓—最小值:- 0.3 V 輸入/電源電壓—最大值:9 V 開關(guān)頻率:132 kHz 占空比 - 最大:78 % 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 150 C 輸出電流:6.88 A 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 類型:Off Line Converter 商標(biāo):Power Integrations 濕度敏感性:Yes 產(chǎn)品類型:AC/DC Converters 工廠包裝數(shù)量1000 子類別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:1.005 g
為了適應(yīng)增加的應(yīng)用功能和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)對(duì)存儲(chǔ)器的要求，NAND閃存正在變得受歡迎，因?yàn)樗拿课怀杀镜�，而新的低功耗SDRAM正在成為有豐富多彩特性的工作存儲(chǔ)器的新解決方案，3G手機(jī)執(zhí)行存儲(chǔ)在NAND閃存的代碼。
低功耗SDRAM的典型速度83MHz或更高，和NAND閃存組合，給手機(jī)存儲(chǔ)器子系統(tǒng)提供了成本效率的高性能解決方案。
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