72Mb產(chǎn)品管線式或流通式結(jié)構(gòu)的時鐘速度
發(fā)布時間:2021/1/26 23:03:59 訪問次數(shù):199
新的72Mb產(chǎn)品可以是管線式或流通式結(jié)構(gòu)。
管線結(jié)構(gòu)支持高達(dá)250MHz的時鐘速度,提供高達(dá)9Gbps的帶寬和一個時鐘的初始等待。采用先進的頻率檢測電路,這些器件在每個時鐘周期內(nèi)能提供有效數(shù)據(jù)多60%,有效數(shù)據(jù)的窗口從2.4ns到4.1ns,最大化用戶時序預(yù)知。
用流通式結(jié)構(gòu)設(shè)計的產(chǎn)品,支持時鐘速度133MHz,帶寬高達(dá)4.8Gbps,初始等待小于一個周期。兩種結(jié)構(gòu)器件有3.3V和2.5V的BGA,fBGA或TQFP封裝,配置有4MbX18,2MbX46或1MbX72。
制造商:Texas Instruments 產(chǎn)品種類:差分放大器 通道數(shù)量:2 Channel SR - 轉(zhuǎn)換速率 :4.5 V/us CMRR - 共模抑制比:80 dB Vos - 輸入偏置電壓 :250 uV 電源電壓-最大:36 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電源電流:950 uA 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-14 封裝:Tube 放大器類型:Differential 產(chǎn)品:Differential Amplifiers 商標(biāo):Texas Instruments 輸入電壓范圍—最大:Positive Rail x 1.1 - 1.65 V 3dB帶寬:150 kHz 增益誤差:0.05 % 增益V/V:10 V/V 濕度敏感性:Yes 工作電源電壓:4.5 V to 36 V 產(chǎn)品類型:Differential Amplifiers 工廠包裝數(shù)量50 子類別:Amplifier ICs Vcm - 共模電壓:- 14.85 V 單位重量:129.400 mg
東芝公司能提供二,三或四種存儲器容量上的半定制組合,以滿足下一代有豐富多彩功能手機的要求。
下面是各種存儲器的主要性能:
NOR:32Mb 到128Mb; 1.65V 道3.3V;存取時間65ns 或70ns;
PSRAM:32Mb, 64Mb 或128Mb; 2.6V 到3.3V; 存取時間65ns 或75ns;
LP SRAM:4Mb 到16Mb, 1.65V 到3.6V; 存取時間40, 55, 70ns;
NAND:128Mb 和256Mb; 2.6 到3.6V; 存取時間50ns,x8 或x16 配置;
低功耗SDRAM:128Mb 和256Mb, 1.8V, x16 配置。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
新的72Mb產(chǎn)品可以是管線式或流通式結(jié)構(gòu)。
管線結(jié)構(gòu)支持高達(dá)250MHz的時鐘速度,提供高達(dá)9Gbps的帶寬和一個時鐘的初始等待。采用先進的頻率檢測電路,這些器件在每個時鐘周期內(nèi)能提供有效數(shù)據(jù)多60%,有效數(shù)據(jù)的窗口從2.4ns到4.1ns,最大化用戶時序預(yù)知。
用流通式結(jié)構(gòu)設(shè)計的產(chǎn)品,支持時鐘速度133MHz,帶寬高達(dá)4.8Gbps,初始等待小于一個周期。兩種結(jié)構(gòu)器件有3.3V和2.5V的BGA,fBGA或TQFP封裝,配置有4MbX18,2MbX46或1MbX72。
制造商:Texas Instruments 產(chǎn)品種類:差分放大器 通道數(shù)量:2 Channel SR - 轉(zhuǎn)換速率 :4.5 V/us CMRR - 共模抑制比:80 dB Vos - 輸入偏置電壓 :250 uV 電源電壓-最大:36 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電源電流:950 uA 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-14 封裝:Tube 放大器類型:Differential 產(chǎn)品:Differential Amplifiers 商標(biāo):Texas Instruments 輸入電壓范圍—最大:Positive Rail x 1.1 - 1.65 V 3dB帶寬:150 kHz 增益誤差:0.05 % 增益V/V:10 V/V 濕度敏感性:Yes 工作電源電壓:4.5 V to 36 V 產(chǎn)品類型:Differential Amplifiers 工廠包裝數(shù)量50 子類別:Amplifier ICs Vcm - 共模電壓:- 14.85 V 單位重量:129.400 mg
東芝公司能提供二,三或四種存儲器容量上的半定制組合,以滿足下一代有豐富多彩功能手機的要求。
下面是各種存儲器的主要性能:
NOR:32Mb 到128Mb; 1.65V 道3.3V;存取時間65ns 或70ns;
PSRAM:32Mb, 64Mb 或128Mb; 2.6V 到3.3V; 存取時間65ns 或75ns;
LP SRAM:4Mb 到16Mb, 1.65V 到3.6V; 存取時間40, 55, 70ns;
NAND:128Mb 和256Mb; 2.6 到3.6V; 存取時間50ns,x8 或x16 配置;
低功耗SDRAM:128Mb 和256Mb, 1.8V, x16 配置。
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