可編16級(jí)的電壓檢測(cè)模塊(PLVD)同時(shí)進(jìn)行傳輸
發(fā)布時(shí)間:2021/1/28 18:38:33 訪問(wèn)次數(shù):398
Wi-Fi 6E 4x4收發(fā)器PCS1100。 PCS1100是Palma Ceia的Wi-Fi 6產(chǎn)品系列中宣布的第一款芯片，該產(chǎn)品支持不斷增長(zhǎng)的Wi-Fi 6網(wǎng)絡(luò)部署，它將為一系列即將推出的Wi-Fi 6E芯片組提供必不可少的平臺(tái)技術(shù)。
PCS1100最多可支持四個(gè)空間流，除了支持2.4 GHz和5 GHz頻段外，還可以在Wi-Fi設(shè)備新分配的6 GHz頻譜（5.925–7.125 GHz）中運(yùn)行。收發(fā)器支持雙并發(fā)操作，允許在兩個(gè)頻帶上同時(shí)進(jìn)行傳輸。
PCS1100作為無(wú)線電系統(tǒng)的RF射頻無(wú)線電部分運(yùn)行，支持Wi-Fi 6 AP-Access Point或STA-Station的傳輸。
制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:100 V Id-連續(xù)漏極電流:97 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:7.2 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V Qg-柵極電荷:116 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:221 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名:StrongIRFET 封裝:Tube 配置:Single 高度:15.65 mm 長(zhǎng)度:10 mm 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:4.4 mm 商標(biāo):Infineon / IR 正向跨導(dǎo) - 最小值:123 S 下降時(shí)間:58 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:56 ns 工廠包裝數(shù)量:1000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:55 ns 典型接通延遲時(shí)間:11 ns 單位重量:1.800 g
成本效率的器件是需要附加存儲(chǔ)器的各種高端應(yīng)用的理想解決方案。這些應(yīng)用包括工業(yè)(TCP/IP控制器，馬達(dá)控制，鎮(zhèn)流器控制)，計(jì)算(線纜調(diào)制解調(diào)器，POS終端，語(yǔ)音/傳真板)以及通信(GPS單元)和消費(fèi)類電子(MP3播放器，安全系統(tǒng)和自動(dòng)調(diào)溫器)。
(素材來(lái)源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）
Wi-Fi 6E 4x4收發(fā)器PCS1100。 PCS1100是Palma Ceia的Wi-Fi 6產(chǎn)品系列中宣布的第一款芯片，該產(chǎn)品支持不斷增長(zhǎng)的Wi-Fi 6網(wǎng)絡(luò)部署，它將為一系列即將推出的Wi-Fi 6E芯片組提供必不可少的平臺(tái)技術(shù)。
PCS1100最多可支持四個(gè)空間流，除了支持2.4 GHz和5 GHz頻段外，還可以在Wi-Fi設(shè)備新分配的6 GHz頻譜（5.925–7.125 GHz）中運(yùn)行。收發(fā)器支持雙并發(fā)操作，允許在兩個(gè)頻帶上同時(shí)進(jìn)行傳輸。
PCS1100作為無(wú)線電系統(tǒng)的RF射頻無(wú)線電部分運(yùn)行，支持Wi-Fi 6 AP-Access Point或STA-Station的傳輸。
制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:100 V Id-連續(xù)漏極電流:97 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:7.2 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V Qg-柵極電荷:116 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:221 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名:StrongIRFET 封裝:Tube 配置:Single 高度:15.65 mm 長(zhǎng)度:10 mm 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:4.4 mm 商標(biāo):Infineon / IR 正向跨導(dǎo) - 最小值:123 S 下降時(shí)間:58 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:56 ns 工廠包裝數(shù)量:1000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:55 ns 典型接通延遲時(shí)間:11 ns 單位重量:1.800 g
成本效率的器件是需要附加存儲(chǔ)器的各種高端應(yīng)用的理想解決方案。這些應(yīng)用包括工業(yè)(TCP/IP控制器，馬達(dá)控制，鎮(zhèn)流器控制)，計(jì)算(線纜調(diào)制解調(diào)器，POS終端，語(yǔ)音/傳真板)以及通信(GPS單元)和消費(fèi)類電子(MP3播放器，安全系統(tǒng)和自動(dòng)調(diào)溫器)。
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