MAX25605集成了六個級聯(lián)低RDSON的N溝MOSFET,適用于高達750mA的LED照明應(yīng)用.每個開關(guān)支持高達三個串聯(lián)LED/開關(guān).

LED串電壓支持高達60V,N溝MOSFET分成兩組,每組三個,使得單個器件能順序一個或兩個LED串.

集成的柵極驅(qū)動器和電平轉(zhuǎn)移用于每個開關(guān),它由內(nèi)部電荷泵穩(wěn)壓器,支持降壓-升壓和升壓到電池應(yīng)用.順序功能和時序由連接電阻到A0,A1,A2和CLK輸入進行編程.

編程選擇包括調(diào)光上/下,短路LED閾值,多個器件順序位置,調(diào)光頻率和變暗周期.

制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管 RoHS: 詳細信息 技術(shù):Si 封裝 / 箱體:TO-263-3 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 配置:Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:2.1 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:11 A Pd-功率耗散:63 W 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C 系列:RC 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 高度:4.57 mm 長度:10.31 mm 寬度:9.45 mm 商標(biāo):Infineon / IR 柵極—射極漏泄電流:100 nA 產(chǎn)品類型:IGBT Transistors 工廠包裝數(shù)量:800 子類別:IGBTs 商標(biāo)名:TRENCHSTOP 單位重量:260.400 mg

支持的取樣頻率從44.1 kHz 到192 kHz.器件還提供高度靈活的輸出級配置,從表面上看單端輸出到單個并行BTL輸出.

MA12070P的高效率(PMP4)包括小于160mW的空閑功耗,2W的效率大于80%,滿功率時的效率大于92%.MA12070P的音頻性能(PMP2)包括>101dB DNR (A律, 1% THD+N 功率電平),輸出綜合噪音(A律)為140μV,高輸出時的THD+N為0.007%.

器件的保護功能包括欠壓鎖住,超溫告警/誤差,短路/過載保護,功率級引腳本-引腳短路,通過I2C進行到底誤差報告,DC保護和I2C控制(四個可選擇地址).

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）