大功率密度通用輸入AC/DC轉(zhuǎn)換器及寬輸入范圍(90–350+VAC)應(yīng)用
發(fā)布時(shí)間:2023/12/19 22:59:53 訪問(wèn)次數(shù):51
和InnoSwitch™IC系列產(chǎn)品一起使用可得到最少的元件數(shù)量和超緊湊的AC/DC轉(zhuǎn)換器.
MinE-CAP具有先進(jìn)大保護(hù)和安全特性包括溫度檢測(cè)和滯后的熱關(guān)斷,輸入浪涌保護(hù)以及引腳開(kāi)路/短路與E-CAP UV/OV故障報(bào)告.主要用在大功率密度通用輸入AC/DC轉(zhuǎn)換器以及非常寬輸入范圍(90–350+VAC)的應(yīng)用.
選擇算法變暗特性允許逐漸打開(kāi)LED或關(guān)斷LED.汽車(chē)級(jí)質(zhì)量,滿(mǎn)足AEC-Q100資質(zhì),工作溫度-40C到 +125C,主要用在順序開(kāi)關(guān)信號(hào)照明和基于硬件的照明激活.
制造商:Infineon 產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:D2PAK-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:200 V Id-連續(xù)漏極電流:90 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:14 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V Qg-柵極電荷:162 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:417 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:Reel 配置:Single 晶體管類(lèi)型:1 N-Channel 商標(biāo):Infineon Technologies 正向跨導(dǎo) - 最小值:96 S 下降時(shí)間:37 ns 產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET 上升時(shí)間:58 ns 工廠包裝數(shù)量:800 子類(lèi)別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:67 ns 典型接通延遲時(shí)間:21 ns 單位重量:2 g
為了進(jìn)一步降低應(yīng)用尺寸,UCC5870-Q1集成了開(kāi)關(guān)時(shí)的4A有源米勒箝位和驅(qū)動(dòng)器未加電時(shí)的有源柵極下拉.集成的10位ADC能檢測(cè)多達(dá)6個(gè)模擬輸入和柵極驅(qū)動(dòng)器溫度,以增強(qiáng)系統(tǒng)管理.還集成了診斷和檢測(cè)功能以簡(jiǎn)化ASIL-D兼容系統(tǒng)的設(shè)計(jì).
UCC5870-Q1的參數(shù)和特性閾值可通過(guò)SPI接口進(jìn)行到底配置.器件的分離輸出驅(qū)動(dòng)器提供15A源和沉,3750-VRMS隔離.
主要用在大功率IGBT和SiC MOSFET,HEV和EV牽引動(dòng)力逆變器,HEV和EV功率模塊.
和InnoSwitch™IC系列產(chǎn)品一起使用可得到最少的元件數(shù)量和超緊湊的AC/DC轉(zhuǎn)換器.
MinE-CAP具有先進(jìn)大保護(hù)和安全特性包括溫度檢測(cè)和滯后的熱關(guān)斷,輸入浪涌保護(hù)以及引腳開(kāi)路/短路與E-CAP UV/OV故障報(bào)告.主要用在大功率密度通用輸入AC/DC轉(zhuǎn)換器以及非常寬輸入范圍(90–350+VAC)的應(yīng)用.
選擇算法變暗特性允許逐漸打開(kāi)LED或關(guān)斷LED.汽車(chē)級(jí)質(zhì)量,滿(mǎn)足AEC-Q100資質(zhì),工作溫度-40C到 +125C,主要用在順序開(kāi)關(guān)信號(hào)照明和基于硬件的照明激活.
制造商:Infineon 產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:D2PAK-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:200 V Id-連續(xù)漏極電流:90 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:14 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V Qg-柵極電荷:162 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:417 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:Reel 配置:Single 晶體管類(lèi)型:1 N-Channel 商標(biāo):Infineon Technologies 正向跨導(dǎo) - 最小值:96 S 下降時(shí)間:37 ns 產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET 上升時(shí)間:58 ns 工廠包裝數(shù)量:800 子類(lèi)別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:67 ns 典型接通延遲時(shí)間:21 ns 單位重量:2 g
為了進(jìn)一步降低應(yīng)用尺寸,UCC5870-Q1集成了開(kāi)關(guān)時(shí)的4A有源米勒箝位和驅(qū)動(dòng)器未加電時(shí)的有源柵極下拉.集成的10位ADC能檢測(cè)多達(dá)6個(gè)模擬輸入和柵極驅(qū)動(dòng)器溫度,以增強(qiáng)系統(tǒng)管理.還集成了診斷和檢測(cè)功能以簡(jiǎn)化ASIL-D兼容系統(tǒng)的設(shè)計(jì).
UCC5870-Q1的參數(shù)和特性閾值可通過(guò)SPI接口進(jìn)行到底配置.器件的分離輸出驅(qū)動(dòng)器提供15A源和沉,3750-VRMS隔離.
主要用在大功率IGBT和SiC MOSFET,HEV和EV牽引動(dòng)力逆變器,HEV和EV功率模塊.
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