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高電壓高功率開(kāi)關(guān)電容器輸入端上斷接FET

發(fā)布時(shí)間:2021/1/30 8:56:13 訪問(wèn)次數(shù):781

輸入端上采用了一個(gè)斷接 FET。與分壓器解決方案不同,倍壓器每次都必須從零輸入電壓?jiǎn)?dòng),但是它能在具有重負(fù)載時(shí)直接啟動(dòng)。在 7A 負(fù)載條件下的啟動(dòng)波形。

7A 負(fù)載條件下的啟動(dòng)波形,LTC7820 是ADI公司的一款固定比例高電壓高功率開(kāi)關(guān)電容器控制器,具有內(nèi)置柵極驅(qū)動(dòng)器以驅(qū)動(dòng)外部 MOSFET,可實(shí)現(xiàn)非常高的效率 (達(dá) 99%) 和高功率密度。堅(jiān)固的保護(hù)功能使得 LTC7820 開(kāi)關(guān)電容器控制器能適合高電壓、高功率應(yīng)用,例如:總線轉(zhuǎn)換器、高功率分布式電源系統(tǒng)、通信系統(tǒng)和工業(yè)應(yīng)用。

制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:200 V Id-連續(xù)漏極電流:88 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:9.9 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V Qg-柵極電荷:87 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:300 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名:OptiMOS 封裝:Tube 配置:Single 高度:15.65 mm 長(zhǎng)度:10 mm 系列:OptiMOS 3 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:4.4 mm 商標(biāo):Infineon Technologies 正向跨導(dǎo) - 最小值:71 S 下降時(shí)間:11 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:26 ns 工廠包裝數(shù)量:500 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:41 ns 典型接通延遲時(shí)間:18 ns 零件號(hào)別名:IPP110N20N3 G SP000677892 單位重量:6 g

電壓比較器的使用、特性及其關(guān)鍵的選型標(biāo)準(zhǔn)。使用電壓比較器檢測(cè)閾值和過(guò)零,以及時(shí)鐘恢復(fù)和張弛振蕩器應(yīng)用。電壓比較器是一種輸出邏輯狀態(tài)的電子器件,用于指示兩個(gè)輸入中電壓高的那個(gè)輸入。

比較器采用 Texas Instruments 的 TLV3201AQDCKRQ1 單比較器,該器件具有推挽輸出。像所有比較器一樣,該器件有兩個(gè)輸入。

帶負(fù)號(hào) (-) 的反相輸入和帶正號(hào) (+) 的同相輸入。比較器輸入非常類似于運(yùn)算放大器輸入。主要區(qū)別在于比較器輸出是數(shù)字邏輯狀態(tài)而非模擬電壓。


(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

輸入端上采用了一個(gè)斷接 FET。與分壓器解決方案不同,倍壓器每次都必須從零輸入電壓?jiǎn)?dòng),但是它能在具有重負(fù)載時(shí)直接啟動(dòng)。在 7A 負(fù)載條件下的啟動(dòng)波形。

7A 負(fù)載條件下的啟動(dòng)波形,LTC7820 是ADI公司的一款固定比例高電壓高功率開(kāi)關(guān)電容器控制器,具有內(nèi)置柵極驅(qū)動(dòng)器以驅(qū)動(dòng)外部 MOSFET,可實(shí)現(xiàn)非常高的效率 (達(dá) 99%) 和高功率密度。堅(jiān)固的保護(hù)功能使得 LTC7820 開(kāi)關(guān)電容器控制器能適合高電壓、高功率應(yīng)用,例如:總線轉(zhuǎn)換器、高功率分布式電源系統(tǒng)、通信系統(tǒng)和工業(yè)應(yīng)用。

制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:200 V Id-連續(xù)漏極電流:88 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:9.9 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V Qg-柵極電荷:87 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:300 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名:OptiMOS 封裝:Tube 配置:Single 高度:15.65 mm 長(zhǎng)度:10 mm 系列:OptiMOS 3 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:4.4 mm 商標(biāo):Infineon Technologies 正向跨導(dǎo) - 最小值:71 S 下降時(shí)間:11 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:26 ns 工廠包裝數(shù)量:500 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:41 ns 典型接通延遲時(shí)間:18 ns 零件號(hào)別名:IPP110N20N3 G SP000677892 單位重量:6 g

電壓比較器的使用、特性及其關(guān)鍵的選型標(biāo)準(zhǔn)。使用電壓比較器檢測(cè)閾值和過(guò)零,以及時(shí)鐘恢復(fù)和張弛振蕩器應(yīng)用。電壓比較器是一種輸出邏輯狀態(tài)的電子器件,用于指示兩個(gè)輸入中電壓高的那個(gè)輸入。

比較器采用 Texas Instruments 的 TLV3201AQDCKRQ1 單比較器,該器件具有推挽輸出。像所有比較器一樣,該器件有兩個(gè)輸入。

帶負(fù)號(hào) (-) 的反相輸入和帶正號(hào) (+) 的同相輸入。比較器輸入非常類似于運(yùn)算放大器輸入。主要區(qū)別在于比較器輸出是數(shù)字邏輯狀態(tài)而非模擬電壓。


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