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400mV內(nèi)部DC斷接FET或使用熱插拔控制器

發(fā)布時(shí)間:2021/1/30 12:50:43 訪問次數(shù):227

在倍壓器應(yīng)用中,如果輸入電壓從零緩慢地斜坡上升,則 LTC7820 能夠在不經(jīng)受電容器浪涌充電電流的情況下啟動(dòng)。

只要輸入電壓以緩慢的速度斜坡上升 (持續(xù)時(shí)間為幾 ms),則輸出電壓能跟蹤輸入電壓,而且電容器之間的電壓差保持很小,因此沒有大的浪涌電流。

輸入的轉(zhuǎn)換速率控制可通過在輸入端上采用一個(gè)斷接 FET 或使用熱插拔控制器來實(shí)現(xiàn),如 LTC7820 產(chǎn)品手冊(cè)中的典型應(yīng)用部分。

制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220FP-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:600 V Id-連續(xù)漏極電流:14.7 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:890 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V Qg-柵極電荷:32 nC 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:31 W 商標(biāo)名:CoolMOS 封裝:Tube 配置:Single 高度:16.15 mm 長(zhǎng)度:10.65 mm 系列:CoolMOS CE 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:4.85 mm 商標(biāo):Infineon Technologies 下降時(shí)間:8 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:9 ns 工廠包裝數(shù)量:500 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:56 ns 典型接通延遲時(shí)間:11 ns 零件號(hào)別名:IPA60R400CE SP001276040 單位重量:6 g

單電壓比較器可以檢測(cè)輸入電壓是高于還是低于參考閾值。確定輸入電壓是否在兩個(gè)極限之間時(shí)(稱為開窗),需要使用兩個(gè)比較器,每個(gè)極限值使用一個(gè)比較器。

電路采用了 Texas Instruments 的 TLV6710DDCR 雙電壓比較器。TLV6710 包含兩個(gè)用于高電壓應(yīng)用的高精度比較器。供電電壓可以在 1.8 至 36 伏之間。

該器件包含一個(gè) 400 mV 內(nèi)部 DC 參考源。比較器輸出采用開漏連接,可以通過一個(gè)公共上拉電阻將其輸出連接在一起,進(jìn)行邏輯“或”運(yùn)算。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)


在倍壓器應(yīng)用中,如果輸入電壓從零緩慢地斜坡上升,則 LTC7820 能夠在不經(jīng)受電容器浪涌充電電流的情況下啟動(dòng)。

只要輸入電壓以緩慢的速度斜坡上升 (持續(xù)時(shí)間為幾 ms),則輸出電壓能跟蹤輸入電壓,而且電容器之間的電壓差保持很小,因此沒有大的浪涌電流。

輸入的轉(zhuǎn)換速率控制可通過在輸入端上采用一個(gè)斷接 FET 或使用熱插拔控制器來實(shí)現(xiàn),如 LTC7820 產(chǎn)品手冊(cè)中的典型應(yīng)用部分。

制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220FP-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:600 V Id-連續(xù)漏極電流:14.7 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:890 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V Qg-柵極電荷:32 nC 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:31 W 商標(biāo)名:CoolMOS 封裝:Tube 配置:Single 高度:16.15 mm 長(zhǎng)度:10.65 mm 系列:CoolMOS CE 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:4.85 mm 商標(biāo):Infineon Technologies 下降時(shí)間:8 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:9 ns 工廠包裝數(shù)量:500 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:56 ns 典型接通延遲時(shí)間:11 ns 零件號(hào)別名:IPA60R400CE SP001276040 單位重量:6 g

單電壓比較器可以檢測(cè)輸入電壓是高于還是低于參考閾值。確定輸入電壓是否在兩個(gè)極限之間時(shí)(稱為開窗),需要使用兩個(gè)比較器,每個(gè)極限值使用一個(gè)比較器。

電路采用了 Texas Instruments 的 TLV6710DDCR 雙電壓比較器。TLV6710 包含兩個(gè)用于高電壓應(yīng)用的高精度比較器。供電電壓可以在 1.8 至 36 伏之間。

該器件包含一個(gè) 400 mV 內(nèi)部 DC 參考源。比較器輸出采用開漏連接,可以通過一個(gè)公共上拉電阻將其輸出連接在一起,進(jìn)行邏輯“或”運(yùn)算。


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